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粘合胶层厚度调整方法

申请号: CN202311766783.X
申请人: 西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日期: 2023/12/20

摘要文本

本发明公开的粘合胶层厚度调整方法,包括将待粘合两片晶圆中的另一片用作腐蚀控制片进行刻蚀开孔,计算刻蚀掉的体积Vetch;将腐蚀控制片进行预填充,计算预填充的体积Vdill;基于Vetch和Vdill计算两片待粘合晶圆在粘合后的实际胶膜厚度减少值△t;将待粘合两片晶圆中的一片进行旋涂匀胶工艺至胶膜厚度为t;将待粘合的两片晶圆在真空环境下进行接触并施加压力,使涂胶晶圆上的胶水填充进入腐蚀控制片,得到厚度为t‑△t的粘合胶层。本发明的粘合胶层厚度调整方法,通过吸附消耗胶量控制胶厚,具有在不改变胶水自身性质的条件下突破匀胶工艺的限制,使非低粘度粘合胶水可以做到纳米级别的厚度。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 粘合胶层厚度调整方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311766783.X
申请日 2023/12/20
公告号 CN117747504A
公开日 2024/3/22
IPC主分类号 H01L21/67
权利人 西安赛富乐斯半导体科技有限公司
发明人 孙恒阳; 杜政
地址 陕西省西安市高新区上林苑一路15号先导院园区二期3号楼4层405室

专利主权项内容

1.粘合胶层厚度调整方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、预留待粘合两片晶圆中的一片,用作在粘合前进行旋涂匀胶工艺并设定胶膜厚度为t;步骤2、将待粘合两片晶圆中的另一片用作腐蚀控制片进行刻蚀开孔,计算刻蚀掉的体积V;etch步骤3、将步骤2所得腐蚀控制片进行预填充,计算预填充的体积V;fill步骤4、基于步骤2所得V和步骤3所得V计算两片待粘合晶圆在粘合后的实际胶膜厚度减少值△t,若达到目标值则进入步骤5,反之返回至步骤2;etchfill步骤5、对步骤1中预留的晶圆进行旋涂匀胶至胶膜厚度为t;步骤6、将待粘合的两片晶圆在真空环境下进行接触并施加压力,使涂胶晶圆上的胶水填充进入腐蚀控制片,得到厚度为t-△t的粘合胶层。