一种负载开关电路
摘要文本
本发明提供了一种负载开关电路,属于开关控制电路技术领域,包括:第一N型功率MOS管MN2,其漏极与外部电源的输出端OUT连接;第二N型功率MOS管MN1;第二N型功率MOS管MN1的源极连接外部电源的输入端IN;第二N型功率MOS管MN1与第一N型功率MOS管MN2的漏极相接;驱动器DRIVER,其使能控制信号输出端DRV1与第二N型功率MOS管MN1的栅极相连,模拟控制信号输出端DRV2与第一N型功率MOS管MN2的栅极相连;反向电压检测电路,与外部电源的输入端IN和外部电源的输出端OUT相连;用于检测输入端外部电源的输入端IN与输出端外部电源的输出端OUT之间的电平;该电路能够使得输出电压高于输入端电压时没有大电流流入输入端,从而达到反向阻断的作用。。
申请人信息
- 申请人:西安航天民芯科技有限公司
- 申请人地址:710000 陕西省西安市高新区锦业路70号卫星大厦5层
- 发明人: 西安航天民芯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种负载开关电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311821690.2 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN117544149A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | H03K17/081 |
| 权利人 | 西安航天民芯科技有限公司 |
| 发明人 | 王婉; 孙权; 夏雪; 陈勇; 任钰狄 |
| 地址 | 陕西省西安市高新区锦业路70号卫星大厦5层 |
专利主权项内容
1.一种负载开关电路,其特征在于,包括:第一N型功率MOS管MN2,其漏极与外部电源的输出端OUT连接;第二N型功率MOS管MN1;第二N型功率MOS管MN1的源极连接外部电源的输入端IN;第二N型功率MOS管MN1与第一N型功率MOS管MN2的漏极相接;驱动器DRIVER,其使能控制信号输出端DRV1与第二N型功率MOS管MN1的栅极相连,模拟控制信号输出端DRV2与第一N型功率MOS管MN2的栅极相连;反向电压检测电路,与外部电源的输入端IN和外部电源的输出端OUT相连;用于检测输入端外部电源的输入端IN与输出端外部电源的输出端OUT之间的电平;当输出端外部电源的输出端OUT的电平与输入端外部电源的输入端IN的电平之差超过压差阈值时,反向电压检测电路向驱动器DRIVER输出控制信号,驱动器DRIVER向第二N型功率MOS管MN1和第一N型功率MOS管MN2的栅极输入低电平,此时第二N型功率MOS管MN1及第一N型功率MOS管MN2关断,第一N型功率MOS管MN2的寄生二极管D2导通,第二N型功率MOS管MN1的寄生二极管D1截止,实现反向电流阻断;当外部电源的输出端OUT与外部电源的输入端IN的电压之差小于压差阈值时,驱动器DRIVER向第二N型功率MOS管MN1和第一N型功率MOS管MN2的栅极输入高电平,此时第二N型功率MOS管MN1及第一N型功率MOS管MN2导通。