一种轴对称的碳化硅功率模块封装结构
摘要文本
本发明涉及一种轴对称的碳化硅功率模块封装结构，包括：若干芯片、若干功率端子、若干输出端子、若干键合线、第一功率铜面、第二功率铜面、第三功率铜面和第四功率铜面，其中，第一功率铜面、第二功率铜面、第三功率铜面、第四功率铜面、若干芯片、若干功率端子和若干输出端子形成关于第一坐标轴和第二坐标轴均对称的轴对称布局，确保对称位置的换流回路各个部分的寄生电感完全一致；同时，第三功率铜面与第一功率铜面之间形成第一交错部分，第四功率铜面与第一功率铜面之间形成第二交错部分，在第一交错部分和第二交错部分的功率端子交错摆放且相互靠近，从而形成多组近距离、交错放置的功率端子，增强了不同环流回路之间的互感相消效应。
申请人信息
- 申请人:西安电子科技大学
- 申请人地址:710071 陕西省西安市太白南路2号
- 发明人: 西安电子科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种轴对称的碳化硅功率模块封装结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311426912.0 |
| 申请日 | 2023/10/30 |
| 公告号 | CN117393528A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | H01L23/492 |
| 权利人 | 西安电子科技大学 |
| 发明人 | 江希; 欧阳润泽; 王颖; 袁嵩; 弓小武 |
| 地址 | 陕西省西安市太白南路2号 |
专利主权项内容
1.一种轴对称的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，包括：若干芯片、若干功率端子、若干输出端子、若干键合线、第一功率铜面(7)、第二功率铜面(8)、第三功率铜面(9A)和第四功率铜面(9B)，其中，所述第二功率铜面(8)、所述第三功率铜面(9A)、所述第四功率铜面(9B)均位于所述第一功率铜面(7)的内部；所述第三功率铜面(9A)位于所述第二功率铜面(8)的一侧且位于所述第二功率铜面(8)与所述第一功率铜面(7)之间，所述第四功率铜面(9B)位于所述第二功率铜面(8)的另一侧且位于所述第二功率铜面(8)与所述第一功率铜面(7)之间；所述第三功率铜面(9A)与所述第一功率铜面(7)的相邻侧相互交错形成第一交错部分，所述第四功率铜面(9B)与所述第一功率铜面(7)的相邻侧相互交错形成第二交错部分；所述第三功率铜面(9A)、所述第四功率铜面(9B)通过键合线相连；所述若干芯片分布在所述第一功率铜面(7)和所述第二功率铜面(8)上，且每个芯片通过所述键合线按照电流路径与相应的功率铜面相连；所述若干功率端子分布在所述第一交错部分和第二交错部分，且位于不同功率铜面上的功率端子彼此靠近；所述若干输出端子分布在所述第二功率铜面(8)上；所述第一功率铜面(7)、第二功率铜面(8)、第三功率铜面(9A)、第四功率铜面(9B)、若干芯片、若干功率端子和若干输出端子形成关于第一坐标轴和第二坐标轴均对称的轴对称结构，所述第一坐标轴和所述第二坐标轴相互垂直。