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一种多泄放通路的ESD保护器件
摘要文本
一种多泄放通路的ESD保护器件，包括P衬底，P衬底上表面的凹槽内掺杂有N型的杂质，形成深N阱区，深N阱区与P衬底连接处的上方设置有环形的N阱区，N阱区上方设置有STI浅槽隔离，N阱区内部掺杂有P型的杂质，形成P阱区，在P阱区的内部设置有第一N+注入区，第一N+注入区内部设置有第二N+注入区，第二N+注入区内部设置有P+注入区；所述的第一N+注入区通过第二金属线连接至阴极，第二N+注入区以及P+注入区通过第一金属线连接至器件阳极；当保护器件受到ESD冲击时，形成的二极管通路开启，NPN三极管通路开启，PNPN的SCR通路开启，使多泄放通路开启，以泄放电流；具有触发电压较低、结构简单、在CMOS工艺下即可实现，成本较低、鲁棒性显著提升的特点。
申请人信息
- 申请人:西安电子科技大学
- 申请人地址:710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 发明人: 西安电子科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种多泄放通路的ESD保护器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311539507.X |
| 申请日 | 2023/11/18 |
| 公告号 | CN117374071A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | H01L27/02 |
| 权利人 | 西安电子科技大学 |
| 发明人 | 李振荣; 董大伟; 李承志; 章圣长; 陆益军 |
| 地址 | 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 |
专利主权项内容
1.一种多泄放通路的ESD保护器件，其特征在于，包括P衬底(10)，P衬底(10)上表面的凹槽内掺杂有N型的杂质，形成深N阱区(11)，深N阱区(11)与P衬底(10)连接处的上方设置有环形的N阱区(12)，N阱区(12)上方设置有STI浅槽隔离(19)，N阱区(12)内部掺杂有P型的杂质，形成P阱区(13)，在P阱区(13)的内部设置有第一N+注入区(14)，第一N+注入区(14)内部设置有第二N+注入区(15)，第二N+注入区(15)内部设置有P+注入区(16)；所述的第一N+注入区(14)通过第二金属线(18)连接至阴极，第二N+注入区(15)以及P+注入区(16)通过第一金属线(17)连接至器件阳极。