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电压比例转换电路、方法及装置

申请号: CN202311812211.0
申请人: 西安航天民芯科技有限公司
申请日期: 2023/12/27

摘要文本

本发明属于模拟集成电路领域,公开了一种电压比例转换电路、方法及装置,包括依次连接的电压转电流电路、电流镜像电路以及电压输出电路;首先通过电压转电流电路将输入电压成比例的转换为输出电流,然后采用电流镜像电路对电压转电流电路的输出电流进行镜像得到镜像输出电流,最后由电压输出电路根据镜像输出电流,通过电阻分压后输出与输入电压成比例的输出电压,实现输出电压根据输入电压的大小进行自适应变化。可应用至DC/DC转换器,以针对不同的输入电压提供不同的输出电压作为误差放大器的参考电压,以实现DC/DC转换器恒定的最大输出功率限制。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 电压比例转换电路、方法及装置
专利类型 发明授权
申请号 CN202311812211.0
申请日 2023/12/27
公告号 CN117472138B
公开日 2024/3/8
IPC主分类号 G05F1/56
权利人 西安航天民芯科技有限公司
发明人 任钰狄; 夏雪; 王婉; 陈勇; 孙权
地址 陕西省西安市高新区锦业路70号卫星大厦5层

专利主权项内容

来源:马 克 数 据 网 1.一种电压比例转换电路,其特征在于,包括依次连接的电压转电流电路、电流镜像电路以及电压输出电路;电压转电流电路用于将输入电压成比例的转换为输出电流并输出至电流镜像电路;电流镜像电路用于将电压转电流电路的输出电流镜像为镜像输出电流并输出至电压输出电路;电压输出电路用于根据镜像输出电流,通过电阻分压输出与输入电压成比例的输出电压;所述电压转电流电路包括第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3、第一N型MOS管MN1、第二N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3、第四N型MOS管MN4以及第一电阻R1;电流镜像电路包括第四P型MOS管MP4、第五P型MOS管MP5、第六P型MOS管MP6、第七P型MOS管MP7以及第八P型MOS管MP8;电压输出电路包括第二电阻R2以及第三电阻R3;第一N型MOS管MN1的漏极和栅极均与第二N型MOS管MN2的栅极连接;第二N型MOS管MN2的漏极与第三N型MOS管MN3的源极以及第四N型MOS管MN4的源极均连接;第三N型MOS管MN3的漏极与第一P型MOS管MP1的漏极、第一P型MOS管MP1的栅极、第二P型MOS管MP2的栅极以及第四P型MOS管MP4的栅极均连接;第四N型MOS管MN4的漏极与第二P型MOS管MP2的漏极、第三P型MOS管MP3的栅极以及第五P型MOS管MP5的栅极均连接;第三P型MOS管MP3的漏极与第六P型MOS管MP6的栅极、第三N型MOS管MN3的栅极以及第一电阻R1的正端均连接;第四P型MOS管MP4的漏极与第六P型MOS管MP6的源极以及第七P型MOS管MP7的源极均连接;第五N型MOS管MN5的漏极与第五N型MOS管MN5的栅极、第六N型MOS管MN6的栅极以及第六P型MOS管MP6的漏极均连接;第六N型MOS管MN6的漏极与第七P型MOS管MP7的漏极以及第八P型MOS管MP8的栅极均连接;第七P型MOS管MP7的栅极与第五P型MOS管MP5的漏极以及第八P型MOS管MP8的源极均连接;第八P型MOS管MP8的漏极与第二电阻R2的负端以及第三电阻R3的正端均连接;第三P型MOS管MP3和第五P型MOS管MP5的源极尺寸、漏极尺寸和栅极尺寸均相等;第四N型MOS管MN4的栅极上设置输入电压输入端子VIN;第三电阻R3的正端上设置输出电压输出端子VOUT;使用状态时,第一N型MOS管MN1的漏极与偏置电流源IBIAS连接;第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第五P型MOS管MP5的源极以及第二电阻R2的正端均与电源VDD连接;第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、第五N型MOS管MN5的源极、第六N型MOS管MN6的源极、第一电阻R1的负端以及第三电阻R3的负端均接地GND;所述电压转电流电路还包括电容C1;电容C1的负端与第三P型MOS管MP3的漏极连接,电容C1的正端与第三P型MOS管MP3的栅极连接。