一种SiC双面散热功率模块
摘要文本
本发明涉及一种SiC双面散热功率模块，包括：第一DBC基板、第二DBC基板和若干个SiC MOSFET功率芯片；第一DBC基板与第二DBC基板沿第一方向相对设置，第一DBC基板和第二DBC基板之间通过若干个连接金属相互连接；若干个SiC MOSFET功率芯片分别设置于第一DBC基板和第二DBC基板之间，若干个SiC MOSFET功率芯片通过连接金属在第一DBC基板和第二DBC基板之间对应形成若干条换流路径；相邻的两个SiC MOSFET功率芯片组成一个半桥，位于同一个半桥中的两个SiC MOSFET功率芯片的换流路径的方向相反；相邻的两个半桥关于SiC双面散热功率模块的水平轴线或竖直轴线对称。本发明的功率模块不仅在高频开关性能方面表现出色，还具备卓越的热管理能力和可靠性。
申请人信息
- 申请人:西安电子科技大学
- 申请人地址:710071 陕西省西安市太白南路2号
- 发明人: 西安电子科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种SiC双面散热功率模块 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311684822.1 |
| 申请日 | 2023/12/8 |
| 公告号 | CN117672998A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L23/367 |
| 权利人 | 西安电子科技大学 |
| 发明人 | 江希; 王颖; 贾道勇; 欧阳润泽; 马年龙; 袁嵩; 弓小武 |
| 地址 | 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学 |
专利主权项内容
1.一种SiC双面散热功率模块，其特征在于，包括：第一DBC基板(100)、第二DBC基板(200)和若干个SiC MOSFET功率芯片(300)；所述第一DBC基板(100)与所述第二DBC基板(200)沿第一方向相对设置，所述第一DBC基板(100)和所述第二DBC基板(200)之间通过若干个连接金属(500)相互连接；所述第一DBC基板(100)与所述第二DBC基板(200)均连接外部散热器；所述若干个SiC MOSFET功率芯片(300)分别设置于所述第一DBC基板(100)和所述第二DBC基板(200)之间，所述若干个SiC MOSFET功率芯片(300)通过所述连接金属(500)在所述第一DBC基板(100)和所述第二DBC基板(200)之间对应形成若干条换流路径；其中，相邻的两个SiC MOSFET功率芯片(300)组成一个半桥，位于同一个所述半桥中的两个SiC MOSFET功率芯片(300)在所述第一DBC基板(100)和所述第二DBC基板(200)之间的换流路径的方向相反；相邻的两个所述半桥关于所述SiC双面散热功率模块的水平轴线或竖直轴线对称。