一种均流的碳化硅功率模块
摘要文本
本发明涉及一种均流的碳化硅功率模块，包括：基板、若干第一功率芯片、若干第二功率芯片、若干第一功率端子、若干第二功率端子和若干第三功率端子，基板包括第一功率导电面、第二功率导电面和第三功率导电面，第一功率导电面、第三功率导电面、第二功率导电面间隔排布，第三功率导电面和第二功率导电面倾斜交错；若干第一功率芯片分布在第一功率导电面上；若干第二功率芯片并联分布在第二功率导电面上；若干第一功率端子分布在第一功率导电面上；若干第二功率端子分布在第二功率导电面上；若干第三功率端子分布在第三功率导电面上。该功率模块降低了功率回路寄生电感，提高了芯片之间的电流均流程度。
申请人信息
- 申请人:西安电子科技大学
- 申请人地址:710071 陕西省西安市太白南路2号
- 发明人: 西安电子科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种均流的碳化硅功率模块 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311294973.6 |
| 申请日 | 2023/10/8 |
| 公告号 | CN117423672A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L23/49 |
| 权利人 | 西安电子科技大学 |
| 发明人 | 袁嵩; 贾道勇; 江希; 王颖; 弓小武 |
| 地址 | 陕西省西安市太白南路2号 |
专利主权项内容
1.一种均流的碳化硅功率模块，其特征在于，包括：基板、若干第一功率芯片(1)、若干第二功率芯片(5)、若干第一功率端子(6)、若干第二功率端子(8)和若干第三功率端子(7)，所述基板包括第一功率导电面(12)、第二功率导电面(14)和第三功率导电面(13)，其中，所述第一功率导电面(12)、所述第三功率导电面(13)、所述第二功率导电面(14)依次间隔排布，所述第三功率导电面(13)和所述第二功率导电面(14)之间倾斜交错以使得倾斜交错位置处的电流路径相互平行交错且方向相反；所述若干第一功率芯片(1)并联分布在所述第一功率导电面(12)上，所述若干第一功率芯片(1)的源极焊盘与所述第二功率导电面(14)连接；所述若干第二功率芯片(5)并联分布在所述第二功率导电面(14)上，所述若干第二功率芯片(5)与所述若干第一功率芯片(1)一一对应且沿碳化硅功率模块的水平中心轴对称分布，所述若干第二功率芯片(5)的源极焊盘与所述第三功率导电面(13)连接；所述若干第一功率端子(6)分布在所述第一功率导电面(12)上且分布在所述若干第一功率芯片(1)的两侧；所述若干第二功率端子(8)分布在所述第二功率导电面(14)上且分布在所述若干第二功率芯片(5)的两侧，与所述若干第一功率端子(6)一一对应地平行排列；所述若干第三功率端子(7)分布在所述第三功率导电面(13)上，与所述若干第一功率端子(6)一一对应地平行排列且彼此靠近。。微信公众号