一种带隙基准电路

专利主权项内容

1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：电流注入模块，包括启动电路、晶体管M13和晶体管M14，所述启动电路的输入端与电源AVDD连接；所述晶体管M13的漏极与启动电路的输出端连接，源极与节点Vbgr连接，栅极与电流偏置Ibp的引脚连接；所述晶体管M14的栅极和漏极均与电流偏置Ibp的引脚连接；所述晶体管M14的源极接地；电平抬升模块，其输入端通过节点Vbgr与晶体管M13连接，电平抬升模块还通过节点D与所述启动电路连接，所述电平抬升模块的输出端为节点VO；带隙核心基准模块，输入端与节点VO连接，所述带隙核心基准模块还通过节点Vbgr与所述晶体管M13的源极及电平抬升模块均连接，输出端为节点VREF；曲率电流补偿模块，其输入端节点VPTAT与所述带隙核心基准模块连接，输出端与带隙核心基准模块的曲率补偿电阻Rco连接；所述启动电路包括晶体管M24-晶体管M29，晶体管M26、晶体管M28及晶体管M29的源极均与电源AVDD连接；晶体管M25的源极与晶体管M26的栅极和漏极均连接；晶体管M24的源极与晶体管M25的栅极和漏极均连接，栅极和漏极同时与节点D点连接；晶体管M27的源极与晶体管M28的栅极和漏极均连接，栅极和漏极同时与晶体管M13的漏极连接；晶体管M29的栅极与晶体管M27的栅极和漏极均连接，漏极与节点D点连接；所述晶体管M13的漏极与晶体管M27的栅极和漏极均连接；所述电流注入模块还包括电阻R8和三极管Q4，电阻R8的第一端与晶体管M14的源极连接；三极管Q4的基极和集电极均电阻R8的第二端连接，发射极接地；所述电平抬升模块包括晶体管M11、晶体管M12、晶体管M15、晶体管M16、晶体管M17-晶体管M23、电阻R9、三极管Q3和三极管Q5，晶体管M19的栅极和漏极均与节点D连接，三极管Q5的基极与晶体管M19的源极连接，集电极与节点D连接，晶体管M11的源极与节点D连接，栅极和漏极均与三极管Q3连接；晶体管M12的源极与节点D连接，栅极与晶体管M11的栅极和漏极均连接，漏极与节点Vbgr及晶体管M13的源极均连接；晶体管M15的漏极与节点D连接，源极与电源AVDD连接；晶体管M16的栅极和漏极均与晶体管M15的栅极连接，源极与电源AVDD连接；晶体管M18的栅极与节点Vbgr连接，漏极与晶体管M16的栅极和漏极均连接；电阻R9的第一端与三极管Q5的发射极连接；晶体管M17的栅极和漏极均与电阻R9的第二端连接；晶体管M20的漏极与晶体管M17及晶体管M18的源极均连接，栅极与电压偏置Vbias1连接；晶体管M21的漏极与晶体管M20的源极连接，栅极与电压偏置Vbias2连接；晶体管M22的漏极与三极管Q3的发射极连接，栅极与电压偏置Vbias1连接；晶体管M23的漏极与晶体管M22的源极连接，栅极与电压偏置Vbias2连接，源极与晶体管M21的源极连接并均接地；三极管Q3的集电极与电源AVDD连接，三极管Q3的发射极与晶体管M22的漏极连接；所述带隙核心基准模块包括电阻R1-电阻R4、三极管Q1、三极管Q2、放大器A1、修调电阻Rtrim1、修调电阻Rtrim2和曲率补偿电阻Rco，所述三极管Q1的基极、三极管Q2的基极、电阻R4的第二端、修调电阻Rtrim2的第一端均与所述节点Vbgr连接；电阻R2和电阻R3的第一端均通过节点VO与三极管Q3的发射极连接，放大器A1的反向输入端与三极管Q1的集电极及电阻R2的第二端连接，正向输入端与三级管Q2的集电极及电阻R3的第二端连接，输出端与电阻R4的第一端连接，电阻R4的第一端与节点VREF连接，节点VREF为带隙基准电路的输出端；三极管Q1的发射极与电阻R1的第一端连接，修调电阻Rtrim1的第一端与电阻R1的第二端及Q2的发射极均连接，曲率补偿电阻Rco的第一端与修调电阻Rtrim1的第二端连接，第二端接地；修调电阻Rtrim2的第二端接地。 来自马-克-数-据-官网