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低寄生电感高功率密度双面散热的功率模块及其制备方法

申请号: CN202311296194.X
申请人: 西安电子科技大学
申请日期: 2023/10/8

摘要文本

本发明提供了一种低寄生电感高功率密度双面散热的功率模块及其制备方法,采用交叠布局设计设置功率铜面和功率端子的位置,使得DC+节点和DC‑节点的功率铜面以及功率端子相互交错排列,从而增强功率换流回路的互感相消效应。其次,使用铜块连接器连接相同节点的功率回路,从而降低了换流回路的自感。本发明的优化设计使得各个功率回路在不同DBC衬板之间和同一衬板之间的互感降低,且在同一功率回路内自感降低,因此本发明可以有效减小芯片在开关过程中的电压冲击和电流震荡。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 低寄生电感高功率密度双面散热的功率模块及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311296194.X
申请日 2023/10/8
公告号 CN117334656A
公开日 2024/1/2
IPC主分类号 H01L23/373
权利人 西安电子科技大学
发明人 江希; 欧阳润泽; 王颖; 袁嵩; 弓小武
地址 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

专利主权项内容

1.一种低寄生电感高功率密度双面散热的功率模块,其特征在于,包括:上DBC衬板和下DBC衬板,所述下DBC衬板与所述上DBC衬板平行设置,且与所述上DBC衬板的相应端口电连接;在所述上DBC衬板和所述下DBC衬板上均设置有4颗芯片、功率端子、铜块连接器、栅极铜面、开尔文源极铜面、输出端子以及键合线;其中,所述功率端子设置在所述上DBC衬板和所述下DBC衬板的同侧,所述上DBC衬板和所述下DBC衬板的功率端子均包括DC+节点功率端子和DC-节点功率端子,且所述DC+节点功率端子与所述DC-节点功率端子相互交错排列;所述上DBC衬板与所述下DBC衬板上通过所述铜块连接器连接;所述输出端子设置在远离所述功率端子的一侧;所述栅极铜面和开尔文源极铜面相邻设置在所述所述上DBC衬板和所述下DBC衬板内部;所述芯片与栅极铜面、开尔文源极铜面通过所述键合线连接。