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一种多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块及制备方法
摘要文本
本发明公开了一种多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块和制备方法，该模块包括：DBC基板、多个碳化硅芯片、多个驱动回路、多个直流端子、多个交流端子和多个驱动端子；DBC基板下表面的第一金属层和分布在DBC基板上表面的第二金属层；DBC基板上设置有多个碳化硅芯片；多个驱动回路分别设置于多个碳化硅芯片上方和下方；多个直流端子分别对应设置于DC‑端子金属层上，且多个直流端子相互靠近放置；多个交流端子设置于下管芯片金属层上；多个驱动端子与驱动金属层连接；解决了现有技术中碳化硅功率模块中寄生电感和并联芯片电流不均衡的问题，实现了对碳化硅功率模块中寄生电感的降低，同时提高了并联芯片之间的电流均衡性。
申请人信息
- 申请人:西安电子科技大学
- 申请人地址:710071 陕西省西安市太白南路2号
- 发明人: 西安电子科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311315485.9 |
| 申请日 | 2023/10/11 |
| 公告号 | CN117352485A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | H01L23/498 |
| 权利人 | 西安电子科技大学 |
| 发明人 | 江希; 马年龙; 王颖; 袁嵩; 弓小武 |
| 地址 | 陕西省西安市太白南路2号 |
专利主权项内容
1.一种多功率回路的低寄生电感碳化硅功率模块，其特征在于，包括：DBC基板、多个碳化硅芯片、多个驱动回路、多个直流端子、多个交流端子和多个驱动端子；所述DBC基板下表面的第一金属层和分布在所述DBC基板上表面的第二金属层；其中，所述第二金属层包括：驱动金属层、上管芯片金属层、下管芯片金属层、DC-端子金属层；所述DBC基板上设置有所述多个碳化硅芯片；所述多个驱动回路分别设置于所述多个碳化硅芯片上方和下方；所述多个直流端子分别对应设置于所述上管芯片金属层和所述DC-端子金属层上，且所述多个直流端子相互靠近放置；所述多个交流端子设置于所述下管芯片金属层上；所述多个驱动端子与所述驱动金属层连接。