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等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法
摘要文本
一种等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法，涉及半导体刻蚀技术领域，解决的技术问题为“开发一种实时监测等离子体放电状态的装置，并对其空间不均匀性进行评估校准”，装置包括：腔室、第一成像监测模块和第二成像监测模块，所述第二成像监测模块与所述第一成像监测模块的轴线垂直；方法包括：通过所述等离子体腔室阵列成像监测装置采集积分光强；基于所述积分光强计算腔室内视线交点光强；通过所述视线交点光强与所述先验分布拟合求解最优分布系数，得到等离子体二维空间分布；评估所述等离子体二维空间分布的不均匀性并校准；该装置及方法通过设置两组相互垂直的光纤形成视线交点，对等离子体不均匀性进行精确的评估校准。 马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:哈尔滨工业大学; 北京东方计量测试研究所
- 申请人地址:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 发明人: 哈尔滨工业大学; 北京东方计量测试研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311743459.6 |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN117457467A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | H01J37/32 |
| 权利人 | 哈尔滨工业大学; 北京东方计量测试研究所 |
| 发明人 | 朱悉铭; 贾军伟; 王璐; 康永琦; 董学江; 宋琦; 黄春月 |
| 地址 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号; 北京市海淀区知春路82号院 |
专利主权项内容
1.一种等离子体腔室阵列成像监测装置，其特征在于，包括腔室、第一成像监测模块和第二成像监测模块；所述第一成像监测模块包括同轴设置的阵列化成像监测装置、腔室内光纤、光纤过真空法兰、腔室外光纤、滤波片和图像采集器；所述光纤过真空法兰设置于所述腔室壁面，所述光纤过真空法兰在所述腔室内部的一侧与所述腔室内光纤和所述阵列化成像监测装置依次连接，所述光纤过真空法兰在所述腔室外部的一侧与所述腔室外光纤、滤波片和图像采集器依次连接；所述第二成像监测模块与所述第一成像监测模块结构相同，所述第二成像监测模块的轴线与所述第一成像监测模块的轴线垂直。