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一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用

申请号: CN202311726912.2
申请人: 哈尔滨理工大学
申请日期: 2023/12/15

摘要文本

一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用。本发明属于储能电介质材料及其制备领域。本发明的目的是为了解决现有聚醚酰亚胺基储能复合介质高温储能特性差和介电损耗高的技术问题。本发明运用磁控溅射技术制备核壳结构填料,通过调控磁控溅射的溅射时间,获得具有较大的能带隙差的BN@MgO颗粒,再将氮化硼包覆氧化镁颗粒引入聚醚酰亚胺基体内,在氮化硼包覆氧化镁颗粒内部形成异质结构建局部电场以抑制击穿路径,这种核壳结构可以有效抵消外加电场的作用,并且可以有效抑制载流子在复合介质内部的输运,降低了复合介质的电流密度,最终有效改善了复合介质在宽温度范围内的绝缘性能。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202311726912.2
申请日 2023/12/15
公告号 CN117757147A
公开日 2024/3/26
IPC主分类号 C08K9/10
权利人 哈尔滨理工大学
发明人 张天栋; 金子琪; 孟兆通; 张昌海; 迟庆国; 李华
地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号哈尔滨理工大学

专利主权项内容

1.一种核壳结构填料,其特征在于,所述填料内核为氧化镁颗粒,外壳为氮化硼。 来源:马 克 数 据 网