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一种大弹热效应多晶Co-V-Ga-Ti记忆合金及其制备方法
摘要文本
一种大弹热效应多晶Co‑V‑Ga‑Ti记忆合金及其制备方法，本发明属于形状记忆合金固态制冷技术领域，具体涉及一种大弹热效应多晶Co‑V‑Ga‑Ti记忆合金及其制备方法。本发明要解决现有Co‑V‑Ga基形状记忆合金弹热制冷材料施加应力大且绝热温变低的问题。化学通式为Co51.7V31.3Ga17‑xTix，0≤x≤3。采用铸态多晶合金电弧熔炼和均匀化热处理技术制备；应力滞后仅21MPa，400MPa驱动应力下就有‑10K的大绝热温变；性能系数COP最大达到31.7，本发明的工艺流程简单、超弹性能优异和大弹热效应等优点，在弹热制冷领域具有潜在的应用前景。
申请人信息
- 申请人:哈尔滨理工大学
- 申请人地址:150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- 发明人: 哈尔滨理工大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种大弹热效应多晶Co-V-Ga-Ti记忆合金及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311326421.9 |
| 申请日 | 2023/10/13 |
| 公告号 | CN117535560A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | C22C19/07 |
| 权利人 | 哈尔滨理工大学 |
| 发明人 | 谭昌龙; 杨杰; 张琨; 赵文彬; 李健; 田晓华 |
| 地址 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号 |
专利主权项内容
1.一种大弹热效应多晶Co-V-Ga-Ti记忆合金，其特征在于大弹热效应多晶Co-V-Ga-Ti记忆合金的化学通式为CoVGaTi，0≤x≤3。51.731.317-xx