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一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法

申请号: CN202311428918.1
申请人: 哈尔滨工业大学
申请日期: 2023/10/31

摘要文本

一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法,属于铁电材料加工技术领域。为实现钽铌酸钾晶体稳定长时存在带电畴壁,本发明热台分别连接紫外光照系统、液氮循环系统、极化电源;热台包括台体,台体内部安装有加热盘,台体的前侧面设置有电压接口、温度测量接口,台体的后侧面设置有液氮循环接口、加热接口,台体的左侧面和右侧面设置有水循环降温管路接口;电压接口通过数据线连接探针台,探针台安装有探针,探针台通过磁吸环固定在加热盘上;温度测量接口通过温控数据线连接热电偶,热电偶的正上方位置的台体上表面设置有通光孔;液氮循环接口连接液氮循环管路;加热接口连接供电线;水循环降温管路接口连接水冷循环管路。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311428918.1
申请日 2023/10/31
公告号 CN117488404A
公开日 2024/2/2
IPC主分类号 C30B29/22
权利人 哈尔滨工业大学
发明人 孟祥达; 董一宁; 宫传伟; 胡程鹏; 田浩
地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

专利主权项内容

1.一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统,其特征在于,包括热台(1)、紫外光照系统(2)、液氮循环系统(3)、极化电源(4),所述热台(1)分别连接紫外光照系统(2)、液氮循环系统(3)、极化电源(4);所述热台(1)包括台体(7),所述台体(7)内部安装有加热盘(8),所述台体(7)的前侧面设置有电压接口(9)、温度测量接口(14),所述台体(7)的后侧面设置有液氮循环接口(18)、加热接口(20),所述台体(7)的左侧面和右侧面设置有水循环降温管路接口(22);所述电压接口(9)通过数据线(10)连接探针台(11),所述探针台(11)安装有探针(12),所述探针台(11)通过磁吸环(13)固定在加热盘(8)上;所述温度测量接口(14)通过温控数据线(15)连接热电偶(16),所述热电偶(16)的正上方位置的台体(7)上表面设置有通光孔(17);所述液氮循环接口(18)连接液氮循环管路(19);所述加热接口(20)连接供电线(21);所述水循环降温管路接口(22)连接水冷循环管路(23)。