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一种超高电磁屏蔽、综合性能优异的石墨烯基宏观材料及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种超高电磁屏蔽、综合性能优异的石墨烯基宏观材料及其制备方法，属于碳基材料领域。本发明要解决现有以石墨烯粉体为原料难以制备高性能石墨烯宏观材料的技术问题。本发明的方法是将含硼物质与石墨烯按0.001：1到0.3：1的质量比混合均匀，高温烧结。本发明可广泛运用于手机、Wi‑Fi，精密电子，宇航船、卫星等航天设备、雷达和军用通讯设备的电磁屏蔽材料。
申请人信息
- 申请人:哈尔滨工业大学
- 申请人地址:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 发明人: 哈尔滨工业大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种超高电磁屏蔽、综合性能优异的石墨烯基宏观材料及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311263818.8 |
| 申请日 | 2023/9/27 |
| 公告号 | CN117416950A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | C01B32/184 |
| 权利人 | 哈尔滨工业大学 |
| 发明人 | 王黎东; 李杰; 邢昌盛; 刘斌; 费维栋 |
| 地址 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
专利主权项内容
1.一种超高电磁屏蔽、综合性能优异的石墨烯基宏观材料及其制备方法，其特征在于，所述制备方法是按下述步骤进行的：将含硼物质与石墨烯，按0.001：1到0.3：1的质量比混合均匀，高温烧结，得到所述超高导电、超高电磁屏蔽宏观材料(石墨烯膜、石墨烯块体)。