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一种耐高温高绝缘复合电介质薄膜及其制备方法和应用

申请号: CN202311519717.2
申请人: 哈尔滨理工大学
申请日期: 2023/11/15

摘要文本

本发明公开了一种耐高温高绝缘复合电介质薄膜及其制备方法和应用,属于耐高温高绝缘聚酰亚胺材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚酰亚胺电介质材料在高温环境下绝缘性能严重劣化的技术问题。本发明从分子结构调控角度入手,通过原位聚合法制备了聚酰亚胺电介质(F‑PI),同时采用共价键合方式将硅烷结构与F‑PI的链端结合,在主链上引入硅氧柔性结构,降低聚酰亚胺的刚性且抑制其发生链段的紧密堆积,从而减少分子内作用力,显著抑制了电介质内部的载流子输运,改善材料在高温下的储能特性。使得引入硅烷的氟化聚酰亚胺复合电介质材料,在高温和高场条件下,具有更高的击穿场强和储能密度。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种耐高温高绝缘复合电介质薄膜及其制备方法和应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202311519717.2
申请日 2023/11/15
公告号 CN117510921A
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 C08J5/18
权利人 哈尔滨理工大学
发明人 张昌海; 张佳琦; 张天栋; 迟庆国; 唐超; 张月; 张永泉
地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

专利主权项内容

1.一种耐高温高绝缘复合电介质薄膜的制备方法,其特征在于,包括:(1)真空条件下,使用含氟二胺和含氟二酐缩聚制备氟化聚酰胺酸胶液;(2)向氟化聚酰胺酸胶液中加入硅烷,真空条件下搅拌,得到含硅烷的氟化聚酰胺酸胶液;(3)采用涂布方法利用含硅烷的氟化聚酰胺酸胶液制备湿膜,湿膜亚胺化处理,得到耐高温高绝缘复合电介质薄膜。