一种氮掺杂的单晶/无定形HVO异质结构的制备方法和应用
摘要文本
一种氮掺杂的单晶/无定形HVO异质结构的制备方法和应用，它属于储能器件领域。本发明通过室温氨气等离子体辅助，设计并制备了一种氮掺杂单晶/无定形H3.78V6O13异质结构(N‑HVO)，并将其用作超级电容器正极材料。方法：一、制备H3.78V6O13纳米片阵列；二、通过射频等离子体增强化学气相沉积制备N‑HVO纳米片阵列。本发明基于氮掺杂与异质结构的协同作用，制备的氮掺杂单晶/无定形H3.78V6O13异质结构(N‑HVO)在1A g‑1的电流密度下，释放了246.3F g‑1的比容量，同时，循环20000次后，仍具有94.5％的高容量保持率。本发明可获得一种氮掺杂的单晶/无定形HVO异质结构。
申请人信息
- 申请人:哈尔滨理工大学
- 申请人地址:150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- 发明人: 哈尔滨理工大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种氮掺杂的单晶/无定形HVO异质结构的制备方法和应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311631792.8 |
| 申请日 | 2023/11/30 |
| 公告号 | CN117612873A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H01G11/86 |
| 权利人 | 哈尔滨理工大学 |
| 发明人 | 张家伟; 李誉; 刘欣; 陈明华 |
| 地址 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号 |
专利主权项内容
1.一种氮掺杂的单晶/无定形HVO异质结构的制备方法，其特征在于所述制备方法具体是按以下步骤完成的：一、制备HVO纳米片阵列：3.78613①、将钛箔进行裁剪，再依次使用稀盐酸、无水乙醇超声清洗，最后烘干，得到预处理后的钛箔；②、将二水合草酸溶解在去离子水中，搅拌一段时间，得到无色溶液；将偏钒酸铵加入到上述无色溶液中，继续搅拌一段时间，得到黄色澄清溶液；③、将黄色澄清溶液转移到聚四氟乙烯内胆中，再将预处理后的钛箔倾斜放入黄色澄清溶液中，将不锈钢反应釜外壳进行封装，再将封装好的反应釜在170℃～190℃下进行水热反应，待反应完成后，将钛箔取出清洗，钛箔表面生长了一层黑色产物，再使用稀盐酸将钛箔其中一面的黑色产物清洗掉，最后无水乙醇清洗、烘干，得到一面生长有HVO纳米片阵列的钛箔；二、通过射频等离子体增强化学气相沉积制备N-HVO纳米片阵列：将一面生长有HVO纳米片阵列的钛箔放置在PECVD设备的石英管中，且使生长有HVO纳米片阵列的一侧面向等离子体发生器，再密封石英管并多次抽真空以排除管内空气，向石英管中通入NH，通过控制进气口和出气口的大小，使石英管内真空度维持在10Pa～15Pa，在射频功率为230W～250W下进行等离子体处理，等离子体处理结束，得到氮掺杂的单晶/无定形HVO异质结构。3.786133.786133 马-克-数据