一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用
摘要文本
一种羟基化氮化硼填料‑聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用，涉及绝缘材料技术领域。本发明的目的是为了解决传统的以聚酰亚胺为基体的复合材料掺杂纳米填料后复合薄膜的介电损耗存在明显增加以及击穿场强降低的问题。本发明一种羟基化氮化硼填料/聚酰亚胺绝缘复合介质的制备方法，首先利用球磨的方法制备羟基化氮化硼填料，将BN纳米片、NaOH与蒸馏水混合后进行球磨，然后过滤、洗涤和烘干，得到羟基化氮化硼填料；再利用溶液共混法制备复合薄膜，以聚酰亚胺为基体，将羟基化氮化硼作为填料加入其中，利用溶液共混的方法制备而成。本发明可获得一种羟基化氮化硼填料‑聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用。
申请人信息
- 申请人:哈尔滨理工大学
- 申请人地址:150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- 发明人: 哈尔滨理工大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311555523.8 |
| 申请日 | 2023/11/21 |
| 公告号 | CN117683258A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | C08J5/18 |
| 权利人 | 哈尔滨理工大学 |
| 发明人 | 张文超; 腾宇; 郑建航; 冯宇; 岳东 |
| 地址 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号 |
专利主权项内容
1.一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法，其特征在于该制备方法按以下步骤进行：步骤1、制备羟基化氮化硼填料：将氮化硼纳米片、氢氧化钠与蒸馏水混合后进行球磨，然后过滤、洗涤和烘干，得到羟基化氮化硼填料；步骤2、制备羟基化氮化硼溶液：将步骤1中得到的羟基化氮化硼填料加入到N, N-二甲基乙酰胺溶液中，超声3～5h，至羟基化氮化硼填料完全溶于N, N-二甲基乙酰胺溶液中，得到羟基化氮化硼溶液a；步骤3、溶液共混法制备羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜：将4, 4’-二氨基二苯醚加入到N, N-二甲基乙酰胺溶液中，超声分散15～60min后，得到混合溶液b；将步骤2中得到的羟基化氮化硼溶液a加入到混合溶液b中，机械搅拌0.5～1h后，得到混合溶液c；将均苯四甲酸酐加入到混合溶液c中，搅拌至粘稠状，得到混合溶液d；将混合溶液d抽真空，然后将混合溶液d均匀涂覆在预处理过的基板的一个面上，固化后，再将基板梯度升温至330℃～350℃，并在330℃～350℃下保温1～1.5h，保温结束后冷却至室温，最后将基板上的薄膜剥离，得到羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜，厚度为8～12μm；羟基化氮化硼填料占聚酰亚胺质量的0.1％、0.2％、0.3％或0.4％。