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一种基于锗晶片的光纤干涉型传感器及其制作方法

申请号: CN202311620539.2
申请人: 哈尔滨工程大学
申请日期: 2023/11/30

摘要文本

本发明公开了一种基于锗晶片的光纤干涉型传感器及其制作方法,该传感器包括单模光纤、玻璃套管和锗晶片;所述单模光纤包括位于内部的光纤纤芯和包裹在所述光纤纤芯外的光纤包层;所述单模光纤的端面与所述锗晶片的端面进行连接且所述单模光纤和锗晶片连接端面之间涂布有UV固化胶;所述玻璃套管固定套设在所述单模光纤和锗晶片连接位置处的外侧。本发明采用上述的一种基于锗晶片的光纤干涉型传感器及其制作方法,该传感器能够实时动态监测外界温度的变化,且具有高灵敏度、高分辨率,适用于小区域空间的温度高精度测量,可以快速无损的对干涉腔进行替换,满足不同分辨率和温度范围的传感应用需求。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种基于锗晶片的光纤干涉型传感器及其制作方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311620539.2
申请日 2023/11/30
公告号 CN117606641A
公开日 2024/2/27
IPC主分类号 G01K11/32
权利人 哈尔滨工程大学
发明人 刘绪钊; 刘子耕; 张琦; 陈桐; 朱俊含; 李昂; 刘盛春
地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室

专利主权项内容

1.一种基于锗晶片的光纤干涉型传感器,其特征在于:包括单模光纤、玻璃套管和锗晶片;所述单模光纤包括位于内部的光纤纤芯和包裹在所述光纤纤芯外的光纤包层;所述单模光纤的端面与所述锗晶片的端面进行连接且所述单模光纤和锗晶片连接端面之间涂布有UV固化胶;所述玻璃套管固定套设在所述单模光纤和锗晶片连接位置处的外侧。 来源:百度马 克 数据网