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一种聚酰亚胺基复合电介质薄膜及其制备方法和在电气绝缘中的应用

申请号: CN202311549291.5
申请人: 哈尔滨理工大学
申请日期: 2023/11/21

摘要文本

本发明公开了一种聚酰亚胺基复合电介质薄膜及其制备方法和在电气绝缘中的应用,属于聚酰亚胺基改性复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚酰亚胺电介质材料本征绝缘特性较差的技术问题。本发明通过向聚酰亚胺分子链上引入大体积基团芴和金属氧化铝团簇(‑AOC),制备了具有高击穿场强的聚酰亚胺薄膜材料,该聚酰亚胺介质材料在室温下的直流击穿场强为672.2MV/m,比传统选用均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚制备的聚酰亚胺介质材料提高了54.6%,在150℃下的直流击穿场强为651.9MV/m,比传统选用均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚制备的聚酰亚胺介质材料提高了56.9%。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种聚酰亚胺基复合电介质薄膜及其制备方法和在电气绝缘中的应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202311549291.5
申请日 2023/11/21
公告号 CN117683351A
公开日 2024/3/12
IPC主分类号 C08L79/08
权利人 哈尔滨理工大学
发明人 张昌海; 刘子阳; 唐超; 迟庆国; 张天栋; 张月; 张永泉; 李华
地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

专利主权项内容

1.一种聚酰亚胺基复合电介质薄膜的制备方法,其特征在于,包括:(1)在真空条件下,使用二胺和二酐缩聚制备胶液;所述二胺包括含芴基二胺;(2)向胶液中滴加仲丁醇铝,真空条件下搅拌,得到改性胶液;(3)采用涂布方法利用改性胶液制备湿膜,湿膜经红外灯辐照后进行亚胺化处理,得到聚酰亚胺基复合电介质薄膜。