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离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法
摘要文本
本发明公开了一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置，属于离子掺杂铁电晶体极化技术领域，包括激光光源、光强调节件、扩束准直器、温度控制单元以及极化电源；极化电源加载在离子掺杂铁电晶体上，离子掺杂铁电晶体设置在温度控制单元内，离子掺杂铁电晶体与扩束准直器相对设置，扩束准直器与光强调节件相对设置，光强调节件与激光光源相对设置，同时公开了基于上述装置的极化方法。采用上述结构的一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法，使得极化后的离子掺杂铁电晶体更加稳定。 （更多数据，详见）
申请人信息
- 申请人:哈尔滨工业大学
- 申请人地址:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 发明人: 哈尔滨工业大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311456780.6 |
| 申请日 | 2023/11/3 |
| 公告号 | CN117468096A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | C30B33/00 |
| 权利人 | 哈尔滨工业大学 |
| 发明人 | 田浩; 金昕宇; 谭鹏; 孟祥达; 王宇 |
| 地址 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
专利主权项内容
1.一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置，其特征在于：包括激光光源、光强调节件、扩束准直器、温度控制单元以及极化电源；极化电源加载在离子掺杂铁电晶体上，离子掺杂铁电晶体设置在温度控制单元内，离子掺杂铁电晶体与扩束准直器相对设置，扩束准直器与光强调节件相对设置，光强调节件与激光光源相对设置。。