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一种聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜及其制备方法和应用

申请号: CN202311549289.8
申请人: 哈尔滨理工大学
申请日期: 2023/11/21

摘要文本

本发明公开了一种聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜及其制备方法和应用,属于储能电介质材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚醚酰亚胺基储能复合介质高温储能特性差,介电损耗高等问题。本发明将有机斥电子小分子半导体4‑NND引入聚醚酰亚胺聚合物中,有机小分子半导体较高的最低未占有分子轨道可于聚醚酰亚胺体内建立有机载流子屏障,小分子较大的带隙可进一步保证复合介质的绝缘特性,最终实现载流子传输阻碍,且可避免介质体内的载流子积聚。同时引入的4‑NND含有丰富的羟基基团,可提升储能介质的介电性能。结果表明,制备的复合介质在150℃、580kV/mm、充放电效率为90%时,放电能量密度达到5.21J/cm3。 关注公众号

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜及其制备方法和应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202311549289.8
申请日 2023/11/21
公告号 CN117683350A
公开日 2024/3/12
IPC主分类号 C08L79/08
权利人 哈尔滨理工大学
发明人 孟兆通; 迟庆国; 张天栋; 张昌海
地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

专利主权项内容

1.一种聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜,其特征在于,该薄膜由聚醚酰亚胺和4-二甲基氨基苯硼酸复合而成,其中4-二甲基氨基苯硼酸与聚醚酰亚胺的体积比为(0.002-0.012):1。。