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一种钪铈铁掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用
摘要文本
本发明属于复合材料制备技术领域,具体涉及一种钪铈铁掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体,光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生,解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体无宏观缺陷、成分均匀、满足使用性能,具备更优全息存储性能。本发明制备的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体,具有光折变响应速度快、灵敏度高、掺杂阈值低和晶体光学质量好等优点,是一种理想的三维体全息存储材料。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体在全息光存储、光波导放大器和集成光学等应用领域有着重要的地位,尤其适合用于光学体全息存储。
申请人信息
- 申请人:哈尔滨理工大学
- 申请人地址:150080 黑龙江省哈尔滨市林园路4号
- 发明人: 哈尔滨理工大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种钪铈铁掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311569349.2 |
| 申请日 | 2023/11/23 |
| 公告号 | CN117604640A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | C30B29/30 |
| 权利人 | 哈尔滨理工大学 |
| 发明人 | 代丽; 阎哲华; 杨顺翔; 王晔; 代滋宇 |
| 地址 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号 |
专利主权项内容
1.一种钪铈铁掺杂铌酸锂晶体,分子式为Sc : Ce : Fe : LiNbO;3所述钪铈铁掺杂铌酸锂晶体中Sc的掺杂量为1%~4%。