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一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法
摘要文本
一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法，本发明属于热电材料技术领域。本发明解决现有AgBiSe2服役温度区间存在复杂的晶体结构转变，并且现有依据熵工程调控获得的室温立方AgBiSe2基材料的平均热电性能仍然较低的问题。方法：一、称取原料并置于石英管中熔封；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构。。
申请人信息
- 申请人:哈尔滨工业大学
- 申请人地址:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 发明人: 哈尔滨工业大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311261158.X |
| 申请日 | 2023/9/27 |
| 公告号 | CN117529207A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H10N10/01 |
| 权利人 | 哈尔滨工业大学 |
| 发明人 | 刘紫航; 郭振涛; 朱钰可; 刘明; 董行严; 隋解和 |
| 地址 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
专利主权项内容
1.一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：一、在水氧含量低于1ppm的手套箱中，按照化学式为(AgBiSe)(SnTe)的化学计量比称取Ag粉、Bi颗粒、Se颗粒、Sn颗粒和Te块体，将称取的原料置于带有密封气阀的石英管中并拧紧气阀，然后将石英管从手套箱中取出，将石英管抽真空并熔封，得到熔封后的石英管；20.80.2二、将熔封后的石英管置于高温马弗炉中，将温度先由室温升温至450℃～550℃，然后升温至1000℃～1100℃，并在温度为1000℃～1100℃的条件下，保温500min～700min，保温后冷却至550℃～650℃，并在温度为550℃～650℃的条件下，保温2880min～4320min，最后随炉冷却至室温，在空气气氛中对石英管进行破碎，得到AgBiSe基热电材料铸锭；2三、在空气中，将AgBiSe基热电材料铸锭研磨成粉末，得到AgBiSe粉体；22四、将AgBiSe粉体填充到石墨模具中，然后置于放电等离子烧结炉中，在炉腔压力小于10Pa、温度为500℃～550℃及单向压力为50MPa～70MPa的条件下烧结，最后随炉冷却，得到室温立方AgBiSe基块体热电材料。22