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HKUST-1/CoFe2O4/g-C3N4纳米复合材料修饰电极及其制备方法、电化学传感器和应用

申请号: CN202311388040.3
申请人: 哈尔滨商业大学
申请日期: 2023/10/24

摘要文本

本发明公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极,包括电极主体,其外表面包覆电催化材料,所述电催化材料为HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料。本发明还公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的制备方法,具有所述HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的电化学传感器和应用。本发明提供的HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极在检测环丙沙星方面发挥了HKUST‑1、CoFe2O4和g‑C3N4之间的协同作用,表现出高电导率及优异的催化性能,对环丙沙星的检测具备高度灵敏度。 来自马-克-数-据-官网

专利详细信息

项目 内容
专利名称 HKUST-1/CoFe2O4/g-C3N4纳米复合材料修饰电极及其制备方法、电化学传感器和应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202311388040.3
申请日 2023/10/24
公告号 CN117491447A
公开日 2024/2/2
IPC主分类号 G01N27/30
权利人 哈尔滨商业大学
发明人 刘蕊; 孙源; 武天恒; 任滨侨
地址 黑龙江省哈尔滨市松北区学海街1号

专利主权项内容

1.HKUST-1/CoFeO/g-CN修饰电极,其特征是,外表面包覆电催化材料,所述HKUST-1/CoFeO/g-CN纳米复合材料由铜源、g-CN、HBTC和CoFeO按摩尔比为1﹕(1.40~1.80)﹕(0.46~0.50)﹕(0.30~0.40)进行水热反应制成。水热反应的条件为:自生压力下,反应温度为120~150℃,反应时间为10~12h,升温速率为3~5℃min。2434243434324-1 更多数据: