电缆护层的电流采样方法、系统及存储介质

专利主权项内容

1.一种电缆护层的电流采样方法，其特征在于，包括如下步骤：基于电流发生器生成的第一真实电流值，使用第一采样芯片获取第一采样电流值与第一标定电流值，所述第一标定电流值为所述第一真实电流值与所述第一采样电流值之间的差值；基于所述电流发生器生成的第二真实电流值，使用第二采样芯片获取第二采样电流值与第二标定电流值，所述第二标定电流值为所述第二真实电流值与所述第二采样电流值之间的差值；所述第一采样芯片与所述第二采样芯片位于电缆护层上不同的部位，所述第一采样芯片与所述第二采样芯片之间距离为第一设定距离；使用所述第一采样芯片与所述第二采样芯片同时采样电缆护层上的电流，所述第一采样芯片输出第一实际采样值，所述第二采样芯片输出第二实际采样值；根据所述第一实际采样值与所述第一标定电流值相加计算得到第一电流值，根据所述第二实际采样值与所述第二标定电流值的和计算得到第二电流值；计算所述第一实际采样值与所述第二实际采样值之间的差值为实际差值；计算所述第一电流值与所述第二电流值的平均值；若所述实际差值小于设置的电流校正值，则将所述平均值作为最终电流值；否则，根据所述实际差值与所述电流校正值的差值反相关调整所述平均值，所述实际差值与所述电流校正值的差值越大，所述平均值越小；所述实际差值与所述电流校正值的差值越小，所述平均值越大；再将所述平均值作为最终电流值；其中，根据所述实际差值与所述电流校正值的差值反相关调节所述第一设定距离；所述实际差值与所述电流校正值的差值越大，所述第一设定距离越小；所述实际差值与所述电流校正值的差值越小，所述第一设定距离越大。