一种U型的浮栅型分栅嵌入式非挥发存储器及其制造方法

专利主权项内容

1.一种U型的浮栅型分栅嵌入式非挥发存储器，其特征在于，包括：p型阱，形成在硅衬底中；U型槽，形成在所述p型阱中；n型阱，形成在所述U型槽一侧的所述p型阱的上部；栅氧介质层，覆盖所述U型槽的底部和侧壁，并延伸覆盖所述U型槽两侧的部分所述n型阱和所述p型阱的上表面；U型浮栅，覆盖所述栅氧介质层，并无缝隙的填充所述U型槽；层间栅介质层，形成在所述U型浮栅上；耦合栅，形成在所述层间栅介质层上；字线栅介质层，形成在所述U型槽另一侧的所述p型阱的上表面；字线栅，形成在所述字线栅介质层上，且所述字线栅的上表面与所述耦合栅的上表面齐平，所述字线栅作为存储单元的字线；所述U型浮栅与所述字线栅之间形成有第二侧墙，所述第二侧墙实现两者的隔离和沟道的阈值电压调整；源电极和漏电极，分别形成在所述U型浮栅和所述字线栅两侧的所述硅衬底中，分别作为存储单元的源极线和位线；其中，在U型浮栅近漏侧利用热载流子注入对所述U型浮栅进行编程操作，在U型浮栅近源侧利用所述U型浮栅与所述n型阱之间大电场产生的FN隧穿进行擦除操作。