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优化堆叠开关管电压分布均衡性的射频开关电路及芯片

申请号: CN202410047583.7
申请人: 上海唯捷创芯电子技术有限公司
申请日期: 2024/1/12

摘要文本

本发明公开了一种优化堆叠开关管电压分布均衡性的射频开关电路及芯片。该射频开关电路由N个开关晶体管源漏链接堆叠构成,N为正整数并且N≥3;其中,每个开关晶体管的源端和漏端均通过一个源漏偏置电阻连接;每个开关晶体管的体端均与一个体端偏置电阻连接,N个体端偏置电阻依次串联连接后,首端与体端偏置电压源连接;同时,偶数级开关晶体管体端连接的串联二极管支路连接到自身开关晶体管的源漏端,奇数级开关晶体管体端连接的串联二极管支路连接到相邻开关晶体管的源漏端。当射频开关电路关断时,各级开关晶体管产生的体端泄露电流通过串联二极管支路流入射频主通路并且相互抵消掉,实现了对堆叠开关管电压分布的均衡性的优化。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 优化堆叠开关管电压分布均衡性的射频开关电路及芯片
专利类型 发明申请
申请号 CN202410047583.7
申请日 2024/1/12
公告号 CN117559975A
公开日 2024/2/13
IPC主分类号 H03K17/081
权利人 上海唯捷创芯电子技术有限公司
发明人 杨艳梅; 李艳丽; 王峰
地址 上海市浦东新区自由贸易试验区碧波路572弄115号10幢

专利主权项内容

1.一种优化堆叠开关管电压分布均衡性的射频开关电路,其特征在于该射频开关电路由N个开关晶体管源漏链接堆叠构成,N为正整数并且N≥3;其中,每个所述开关晶体管的源端和漏端均通过一个源漏偏置电阻连接;每个所述开关晶体管的体端均与一个体端偏置电阻连接,N个所述体端偏置电阻依次串联连接后,首端与体端偏置电压源连接;同时,第一级所述开关晶体管的体端通过一条或两条均由X个二极管正负串联构成的支路与第二级所述开关晶体管的漏端连接;中间偶数级所述开关晶体管的体端各自分别通过一条由X个或者Y个二极管正负串联构成的支路与各自开关晶体管的源端及漏端连接;中间奇数级所述开关晶体管的体端各自分别通过一条由X个二极管正负串联构成的支路与前一级所述开关晶体管的源端及后一级所述开关晶体管的漏端连接;第N级所述开关晶体管的体端通过一条或两条均由X个二极管正负串联构成的支路与第N-1级所述开关晶体管的源端连接;其中,X、Y均为正整数,并且X≥1、Y≤X;二极管正负串联构成的支路的正端均与所述开关晶体管的体端连接。 微信公众号