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一种硬掩模保护的硅光波导表面氧化平滑方法

申请号: CN202410166404.1
申请人: 上海铭锟半导体有限公司
申请日期: 2024/2/6

摘要文本

本发明提供了一种硬掩模保护的硅光波导表面氧化平滑方法,包括:步骤1、提供一SOI衬底,所述SOI衬底包括自下而上的硅衬底、埋氧层和顶层硅;步骤2、在所述顶层硅表面依次形成第一氧化硅层和硬掩模层;步骤3、光刻和干法刻蚀所述顶层硅形成硅光波导;步骤4、在硬掩模层保护下对硅光波导进行氧化生成第二氧化硅层;步骤5、依次去除第二氧化硅层、硬掩模层和第一氧化硅层;步骤6、沉积第三氧化硅层;步骤7、将第三氧化硅层抛光至表面平整。本发明避免了硅光波导高度方向上的氧化平滑损耗,解决了硅光波导的边角圆化问题,所采用的结构和工艺简单,成本增加少。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种硬掩模保护的硅光波导表面氧化平滑方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410166404.1
申请日 2024/2/6
公告号 CN117706685A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 G02B6/13
权利人 上海铭锟半导体有限公司
发明人 杨荣; 余巨峰; 余明斌
地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼

专利主权项内容

1.一种硬掩模保护的硅光波导表面氧化平滑方法,其特征在于,包括:步骤1、提供一SOI衬底,所述SOI衬底包括自下而上的硅衬底、埋氧层和顶层硅;步骤2、在所述顶层硅表面依次形成第一氧化硅层和硬掩模层;步骤3、光刻和干法刻蚀所述顶层硅形成硅光波导;步骤4、在硬掩模层保护下对硅光波导进行氧化生成第二氧化硅层;步骤5、依次去除第二氧化硅层、硬掩模层和第一氧化硅层;步骤6、沉积第三氧化硅层;步骤7、将第三氧化硅层抛光至表面平整。