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一种硅基负极片及其制备方法和应用

申请号: CN202410055117.3
申请人: 上海瑞浦青创新能源有限公司; 瑞浦兰钧能源股份有限公司
申请日期: 2024/1/15

摘要文本

本发明提供一种硅基负极片及其制备方法和应用,所述硅基负极片包括负极集流体,以及沿着远离负极集流体的方向,在负极集流体至少一表面层叠设置的补锂硅基层、硅基活性涂层、保护层和补锂层。本发明提供的硅基负极片可以实现由外向内逐层补锂,其中在集流体表面预先涂覆补锂硅基层,可以避免内层硅补锂不充分的情况发生,且补锂硅基层在电池首次循环时,可以通过自愈合作用,修复硅基活性涂层中因体积膨胀而产生的裂纹,保持电极的结构完整性和导电性,此外借助保护层的存在有效避免了补锂过程中锂源与硅源直接接触导致热失控的风险,且保护层可以有效缓冲硅负极的体积膨胀。基于此制备的锂离子电池具有优异的首效和循环寿命。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种硅基负极片及其制备方法和应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202410055117.3
申请日 2024/1/15
公告号 CN117594749A
公开日 2024/2/23
IPC主分类号 H01M4/134
权利人 上海瑞浦青创新能源有限公司; 瑞浦兰钧能源股份有限公司
发明人 岳金书; 孙语蔚; 连爽; 刘婵; 侯敏; 曹辉
地址 上海市浦东新区自由贸易试验区金海路1255号4幢1层B105室; 浙江省温州市龙湾区空港新区滨海六路205号C幢A205室

专利主权项内容

1.一种硅基负极片,其特征在于,所述硅基负极片包括负极集流体,以及沿着远离所述负极集流体的方向,在所述负极集流体至少一表面层叠设置的补锂硅基层、硅基活性涂层、保护层和补锂层。