一种高速低功耗CMOS电压转换电路
摘要文本
本发明公开一种高速低功耗CMOS电压转换电路，属于集成电路领域，包括PMOS管MP1~MP4、NMOS管MN1~MN6、反相器INV和电容C；所述PMOS管MP1~MP2、所述NMOS管MN1~MN2是IO MOS器件；所述PMOS管MP3~MP4、所述NMOS管MN3~MN6是core MOS器件。基于T22ULP的仿真表明本发明的电路即使在电压core=0.8V，IO=1.8V的情况下可以达到12.5G的时钟频率，这个是传统电路远远没有办法达到的。而同等速度下的功耗也表明本发明远低于现有电路。电路完全兼容CMOS工艺，没有增加任何MASK也没有增加面积，因此完美的兼顾了高速，低功耗和低成本。先进制程中core的电压和IO电压差距越来越大，而速度和功耗的要求越来越高，因此本发明的方案具有很大的使用价值。
申请人信息
- 申请人:上海昇贻半导体科技有限公司
- 申请人地址:200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路570号1幢1204室
- 发明人: 上海昇贻半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高速低功耗CMOS电压转换电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410187085.2 |
| 申请日 | 2024/2/20 |
| 公告号 | CN117748955A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H02M3/158 |
| 权利人 | 上海昇贻半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 曾令刚; 陈博宇; 李晓慧 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路570号1幢1204室 |
专利主权项内容
1.一种高速低功耗CMOS电压转换电路，其特征在于，包括PMOS管MP1~MP4、NMOS管MN1~MN6；PMOS管MP1的源端和PMOS管MP2的源端均接MVDDQ，PMOS管MP1的漏端同时接PMOS管MP2的栅端和NMOS管MN1的漏端，PMOS管MP2的漏端同时接PMOS管MP1的栅端和NMOS管MN2的漏端；NMOS管MN1的栅端和NMOS管MN2的栅端均接MVDDQ，NMOS管MN1的源端接NMOS管MN3的漏端，NMOS管MN3的源端同时接PMOS管MP3的漏端和NMOS管MN5的漏端，PMOS管MP3的源端接VDD，栅端接信号DPL，NMOS管MN5的源端接地MVSS，栅端接DPL；NMOS管MN2的源端接NMOS管MN4的漏端，NMOS管MN4的源端同时接PMOS管MP4的漏端和NMOS管MN6的漏端，PMOS管MP4的源端接VDD，栅端接信号DNL，NMOS管MN6的源端接地MVSS，栅端接DNL；NMOS管MN3的栅端和NMOS管MN4的栅端均接VDD。