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一种漏极结构及制作方法
摘要文本
本发明提供一种漏极结构及制作方法，该漏极结构包括：衬底、N型掺杂欧姆接触层、介质层和漏极金属层，其中，衬底上设置有自下而上层叠的沟道层和势垒层；N型掺杂欧姆接触层由势垒层的上表面向下延伸至沟道层中；介质层位于势垒层上方，介质层中设置有开口，开口的尺寸大于N型掺杂欧姆接触层的尺寸；漏极金属层位于介质层上方且延伸至开口中，漏极金属层的下表面与N型掺杂欧姆接触层及势垒层相接触。本发明中漏极金属层位于介质层上方且漏极金属层的下表面与N型掺杂欧姆接触层及势垒层相接触，一方面漏极金属层与N型掺杂欧姆接触层呈欧姆接触降低接触电阻，同时漏极金属层与势垒层及介质层接触，能够分散漏极端的表面电场，提高器件性能。 该数据由整理
申请人信息
- 申请人:上海新微半导体有限公司
- 申请人地址:200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号
- 发明人: 上海新微半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种漏极结构及制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410048516.7 |
| 申请日 | 2024/1/12 |
| 公告号 | CN117832260A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | H01L29/417 |
| 权利人 | 上海新微半导体有限公司 |
| 发明人 | 张安邦 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号 |
专利主权项内容
1.一种漏极结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上设置有自下而上层叠的沟道层和势垒层；N型掺杂欧姆接触层，由所述势垒层的上表面向下延伸至所述沟道层中；介质层，位于所述势垒层上方，所述介质层中设置有开口，所述开口显露所述N型掺杂欧姆接触层，所述开口的尺寸大于所述N型掺杂欧姆接触层的尺寸；漏极金属层，位于所述介质层上方且延伸至所述开口中，所述漏极金属层的下表面与所述N型掺杂欧姆接触层及所述势垒层相接触。 来源：百度马 克 数据网