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一种砷化镓芯片安装测试结构和方法

申请号: CN202410010882.3
申请人: 上海聚跃检测技术有限公司
申请日期: 2024/1/4

摘要文本

本申请公开了一种砷化镓芯片安装测试结构和方法,将红光LED芯片放置于电路背板的对应电性接触点后,再用排布有氮化镓材料凸起结构的蓝宝石衬底压实。通过摄像头拍摄的监测图像可以分析出各个LED芯片的发光亮度,实现对红光LED芯片的测试。控制激光照射系统对整个蓝宝石衬底进行照射,使得氮化镓材料转化为氮气以冲击所述LED芯片的N型半导体层,减薄具有吸光能力的N型半导体层,提高红光LED芯片的发光效率。本申请可以在对红光LED芯片进行测试的同时,提升红光LED芯片的发光效率。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种砷化镓芯片安装测试结构和方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410010882.3
申请日 2024/1/4
公告号 CN117516707A
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 G01J1/42
权利人 上海聚跃检测技术有限公司
发明人 余夕霞
地址 上海市浦东新区张东路1388号2幢101室

专利主权项内容

1.一种砷化镓芯片安装测试结构,其特征在于,包括:电路背板,包括层叠设置的基板、驱动电路层和平坦层,所述平坦层上设置有与所述驱动电路层连接的第一触垫和第二触垫;LED芯片,所述LED芯片的N型半导体层包括砷化镓材料,所述LED芯片设置于所述电路背板上,使得导通P型半导体层的第一电极与所述第一触垫接触,导通所述N型半导体层的第二电极与所述第二触垫接触;蓝宝石衬底,所述蓝宝石衬底上排布有凸起结构,所述凸起结构的尺寸小于预设尺寸阈值,且所述凸起结构为氮化镓材料制成;所述蓝宝石衬底设置有所述凸起结构的表面压实在所述LED芯片上,所述蓝宝石衬底与所述平坦层之间填充有光刻胶;优化系统,包括激光照射系统、摄像头以及与所述驱动电路层、所述激光照射系统和所述摄像头电连接的处理器,所述激光照射系统可以针对所述蓝宝石衬底的任一区域进行照射,所述摄像头用于拍摄所述电路背板上的处于发光状态的各个所述LED芯片,得到监测图像。