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一种砷化镓芯片安装测试结构和方法
摘要文本
本申请公开了一种砷化镓芯片安装测试结构和方法,将红光LED芯片放置于电路背板的对应电性接触点后,再用排布有氮化镓材料凸起结构的蓝宝石衬底压实。通过摄像头拍摄的监测图像可以分析出各个LED芯片的发光亮度,实现对红光LED芯片的测试。控制激光照射系统对整个蓝宝石衬底进行照射,使得氮化镓材料转化为氮气以冲击所述LED芯片的N型半导体层,减薄具有吸光能力的N型半导体层,提高红光LED芯片的发光效率。本申请可以在对红光LED芯片进行测试的同时,提升红光LED芯片的发光效率。
申请人信息
- 申请人:上海聚跃检测技术有限公司
- 申请人地址:200120 上海市浦东新区张东路1388号2幢101室
- 发明人: 上海聚跃检测技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种砷化镓芯片安装测试结构和方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410010882.3 |
| 申请日 | 2024/1/4 |
| 公告号 | CN117516707A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | G01J1/42 |
| 权利人 | 上海聚跃检测技术有限公司 |
| 发明人 | 余夕霞 |
| 地址 | 上海市浦东新区张东路1388号2幢101室 |
专利主权项内容
1.一种砷化镓芯片安装测试结构,其特征在于,包括:电路背板,包括层叠设置的基板、驱动电路层和平坦层,所述平坦层上设置有与所述驱动电路层连接的第一触垫和第二触垫;LED芯片,所述LED芯片的N型半导体层包括砷化镓材料,所述LED芯片设置于所述电路背板上,使得导通P型半导体层的第一电极与所述第一触垫接触,导通所述N型半导体层的第二电极与所述第二触垫接触;蓝宝石衬底,所述蓝宝石衬底上排布有凸起结构,所述凸起结构的尺寸小于预设尺寸阈值,且所述凸起结构为氮化镓材料制成;所述蓝宝石衬底设置有所述凸起结构的表面压实在所述LED芯片上,所述蓝宝石衬底与所述平坦层之间填充有光刻胶;优化系统,包括激光照射系统、摄像头以及与所述驱动电路层、所述激光照射系统和所述摄像头电连接的处理器,所述激光照射系统可以针对所述蓝宝石衬底的任一区域进行照射,所述摄像头用于拍摄所述电路背板上的处于发光状态的各个所述LED芯片,得到监测图像。