← 返回列表
一种用于碳化硅功率半导体器件双极性退化测试的电流源
摘要文本
本申请公开了一种用于碳化硅功率半导体器件双极性退化测试的电流源，包括：AC‑DC变换器、DC‑DC变换器、电容组、采样电阻、反馈环路、控制单元。其中，AC‑DC变换器、DC‑DC变换器、电容组构成充电单元，电容组、采样电阻、反馈环路构成放电单元，所述放电单元外接碳化硅功率半导体器件；控制单元用于产生直流、方波或三角波形式的基准电压；DC‑DC变换器用于在浪涌加电模式下向电容组充入直流电，电容组用于对碳化硅功率半导体器件和采样电阻放电，反馈环路用于接收控制单元输入的基准电压，并控制采样电阻的电压等于控制单元输入的基准电压。本方案能够提供多种加电模式，提高双极性退化测试的效率。 来自马-克-数-据
申请人信息
- 申请人:忱芯科技(上海)有限公司
- 申请人地址:201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路565弄40号101、105室
- 发明人: 忱芯科技(上海)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种用于碳化硅功率半导体器件双极性退化测试的电流源 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410142917.9 |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117686754A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | G01R1/28 |
| 权利人 | 忱芯科技(上海)有限公司 |
| 发明人 | 殷成彬; 毛赛君; 刘弘耀; 钱城晖; 崔东杰 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路565弄40号101、105室 |
专利主权项内容
1.一种用于碳化硅功率半导体器件双极性退化测试的电流源，其特征在于，包括：AC-DC变换器、DC-DC变换器、电容组、采样电阻、反馈环路、控制单元；所述AC-DC变换器、DC-DC变换器、电容组构成充电单元，电容组、采样电阻、反馈环路构成放电单元，所述放电单元外接碳化硅功率半导体器件；所述控制单元用于产生直流、方波或三角波形式的基准电压；所述DC-DC变换器用于在浪涌加电模式下向所述电容组充入直流电，所述电容组用于对碳化硅功率半导体器件和采样电阻放电，所述反馈环路用于接收控制单元输入的基准电压，并使采样电阻的电压等于所述控制单元输入的基准电压。