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用于自由尺度光学邻近校正的方法、电子设备及存储介质

申请号: CN202410160214.9
申请人: 全智芯(上海)技术有限公司
申请日期: 2024/2/4

摘要文本

本公开涉及用于自由尺度光学邻近校正的方法、电子设备及存储介质。该方法包括:以第一精度格式对第一掩模版图应用光刻模型,以生成仿真晶圆图像;以第二精度格式确定指示仿真晶圆图像与目标图像之间的差异的度量指标,其中目标图像是期望经光刻模型的光刻仿真而在晶圆上形成的图像,第二精度格式的精度大于第一精度格式的精度;以第一精度格式对仿真晶圆图像应用自由尺度反演过程,以生成掩模像素图像;迭代地以基于掩模像素图像而生成的第二掩模版图更新第一掩模版图;响应于度量指标满足预定条件,将与满足预定条件的度量指标对应的所更新的第一掩模版图确定为最优掩模版图。该方案能提高自由尺度光学邻近校正过程的计算速度并减少资源消耗。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 用于自由尺度光学邻近校正的方法、电子设备及存储介质
专利类型 发明申请
申请号 CN202410160214.9
申请日 2024/2/4
公告号 CN117710270A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 G06T5/90
权利人 全智芯(上海)技术有限公司
发明人 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名
地址 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼

专利主权项内容

1.一种用于自由尺度光学邻近校正的方法,包括:以第一精度格式对第一掩模版图应用光刻模型,以生成仿真晶圆图像;以第二精度格式确定指示所述仿真晶圆图像与目标图像之间的差异的度量指标,其中所述目标图像是期望经所述光刻模型的光刻仿真而在晶圆上形成的图像,并且所述第二精度格式的精度大于所述第一精度格式的精度;以所述第一精度格式对所述仿真晶圆图像应用自由尺度反演过程,以生成掩模像素图像;迭代地以基于所述掩模像素图像而生成的第二掩模版图更新所述第一掩模版图;以及响应于所述度量指标满足预定条件,将与满足预定条件的所述度量指标对应的所更新的第一掩模版图确定为最优掩模版图。