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一种芯片失效分析测试修复方法
摘要文本
本申请公开了一种芯片失效分析测试修复方法,在通过传统施加测试信号方式确认出未被点亮的坏点芯片后,通过探针向备用电极继续测试信号施加测试信号,确认坏点芯片的第一电极是否损坏。若坏点芯片被第二次测试信号点亮,则可以判断坏点芯片的第一电极损坏,通过激光切断第一电极,使得LED芯片受重力影响旋转90°后落入第一凹槽中,随后重新焊接备用电极和第一触垫。
申请人信息
- 申请人:上海聚跃检测技术有限公司
- 申请人地址:200120 上海市浦东新区张东路1388号2幢101室
- 发明人: 上海聚跃检测技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种芯片失效分析测试修复方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410233728.2 |
| 申请日 | 2024/3/1 |
| 公告号 | CN117832111A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | H01L21/66 |
| 权利人 | 上海聚跃检测技术有限公司 |
| 发明人 | 余夕霞 |
| 地址 | 上海市浦东新区张东路1388号2幢101室 |
专利主权项内容
1.一种芯片失效分析测试修复方法,应用于芯片失效分析测试修复结构,所述芯片失效分析测试修复结构包括:电路背板以及排布于所述电路背板上的LED芯片;所述电路背板包括层叠设置的基板、驱动电路层和平坦层,所述平坦层上阵列设置有触垫对,每组所述触垫对包括第一触垫和第二触垫,所述平坦层上还阵列设置有第一凹槽,所述第一凹槽设置于每组所述触垫的所述第一触垫和所述第二触垫之间;所述LED芯片包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层,所述第一半导体层和所述第二半导体层朝向所述电路背板的表面上分别设置有第一电极和第二电极,所述第一半导体层背离所述电路背板的表面上设置有备用电极,所述第一电极焊接于所述第一触垫上,所述第二电极焊接于所述第二触垫上;其特征在于,包括以下步骤:S1:向所述驱动电路层输出测试信号,以点亮所述电路背板上的所有所述LED芯片,检测出坏点芯片;S2:通过探针向所述坏点芯片的所述备用电极输出对应的所述测试信号,将被点亮的所述坏点芯片确认为目标芯片;S3:通过激光切除所述目标芯片的所述第一电极,待所述目标芯片落入所述第一凹槽后,焊接所述备用电极和所述第一触垫,并重新焊接所述第二电极和所述第二触垫。