一种基于碳化硅MOSFET的短路检测装置

专利主权项内容

1.一种基于碳化硅MOSFET的短路检测装置，其特征在于，该短路检测装置包括检测电感L、第一电阻R1、二极管D、第一比较器U1、运算放大器U2、第二比较器U3、第三比较器U4、与门U5、RS触发器U6、第一电容C1、第一开关管Q1、第二开关管Q2；检测电感L与待测碳化硅MOSFET串联在电源电路中，检测电感L的第一端连接待测碳化硅MOSFET的源极、接地端和第二开关管Q2的源极，检测电感L的第二端连接第一比较器U1的同相输入端，第一参考电压V1输入到第一比较器U1的反相输入端，第一比较器U1的输出端连接第一开关管Q1的栅极，第一电阻R1的第一端连接检测电感L的第二端，第一电阻R1的第二端连接二极管D的阴极，二极管D的阳极连接运算放大器U2的反相输入端、第一电容C1的第一端和第一开关管Q1的源极，运算放大器U2的同相输入端连接接地端，运算放大器U2的输出端连接第一电容C1的第二端、第一开关管Q1的漏极和第三比较器U4的同相输入端，第三比较器U4的反相输入端连接第二参考电压V2，第三比较器U4的输出端连接与门U5的第一输入端，第二比较器U3的同相输入端连接待测碳化硅MOSFET的栅极，第二比较器U3的反相输入端连接第三参考电压V3，第二比较器U3的输出端连接与门U5的第二输入端，与门U5的输出端连接RS触发器U6的置位端S，RS触发器U6的复位端R连接+5V电压，RS触发器U6的输出端Q连接第二开关管Q2的栅极，第二开关管Q2的漏极连接待测碳化硅MOSFET的栅极。