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一种降低刻蚀不均匀度的ICP装置及调节方法
摘要文本
本发明提供一种降低刻蚀不均匀度的ICP装置及调节方法，通过引入一个斜向通孔结构的网格栅，并配备一个支持网格栅上下移动的伺服电机，通过两者结合，达到通过软件控制伺服电机改变网格栅的位置来调整晶圆表面气体接触流量分布的效果，从而提升或者抑制部分区域的刻蚀速率，提高刻蚀的均匀度。
申请人信息
- 申请人:上海邦芯半导体科技有限公司
- 申请人地址:201508 上海市金山区卫昌路293号2幢12638室
- 发明人: 上海邦芯半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种降低刻蚀不均匀度的ICP装置及调节方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410153716.9 |
| 申请日 | 2024/2/4 |
| 公告号 | CN117690774A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01J37/32 |
| 权利人 | 上海邦芯半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 桂智谦; 涂乐义; 梁洁; 王兆祥 |
| 地址 | 上海市金山区卫昌路293号2幢12638室 |
专利主权项内容
1.一种降低刻蚀不均匀度的ICP装置，其特征在于，包括壳体、网格栅以及移动模块，其中，安装于壳体内部的网格栅将壳体划分为上部的等离子体生成区以及下部的反应腔，同时，所述网格栅上开有斜向通孔，且网格栅在移动模块的驱动下可沿壳体内壁上下移动。