晶体管封装结构体的封装方法和晶体管封装结构体

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本申请公开了一种晶体管封装结构体的封装方法和晶体管封装结构体。封装方法包括：组装处理，将芯片通过银浆烧结工艺焊接到引线框架上，以得到芯片组合件，银浆烧结工艺的烧结温度为140℃‑250℃，银浆烧结工艺的烧结时间为3h‑6h；清洗处理，对所述芯片组合件进行清洗处理，得到芯片组合件净品；键合处理，利用引线将所述芯片组合件净品中的芯片与引线框架键合连接在一起形成导电回路，以得到芯片半成品；塑封处理，将所述芯片半成品放入塑封料中，进行塑封，得到晶体管封装结构体。本申请实施例提供的晶体管封装结构体的封装方法和晶体管封装结构体，能够增加引线框架与塑封体之间的结合力，从而使晶体管封装结构体能够通过湿度敏感等级1级测试。