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一种电子束曝光剂量校正方法
摘要文本
本发明提供一种电子束曝光剂量校正方法，根据版图图形中不同占空比的图形区域进行图形分区，各个区域分别采用邻近效应校正计算得到第一剂量校正系数，并根据各个区域的占空比得到第二剂量校正系数，在第一剂量校正系数的基础上叠加第二剂量校正系数，可实现全局图形的高线宽精度及其均匀性；并且，采用多重曝光的方式提升图形曝光的场拼接精度，解决绝缘衬底上大面积电子束曝光时面临图形位置漂移、线宽精度和均匀性控制难、拼接误差大等问题，从而拓展电子束曝光技术在超导量子器件、超导单光子探测器、光量子芯片、长波导器件、高频表面波器件等微纳器件加工中的应用。
申请人信息
- 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址:200050 上海市长宁区长宁路865号
- 发明人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种电子束曝光剂量校正方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410001412.0 |
| 申请日 | 2024/1/2 |
| 公告号 | CN117492335A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | G03F7/20 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 发明人 | 刘晓宇; 彭炜 |
| 地址 | 上海市长宁区长宁路865号 |
专利主权项内容
1.一种电子束曝光剂量校正方法，其特征在于，包括以下步骤：提供绝缘衬底，于所述绝缘衬底上形成自下而上层叠的抗蚀剂层和导电胶层，并获取电子束曝光的清除剂量；D0基于版图图形中不同占空比的图形区域进行图形分区，将所述抗蚀剂层划分为i个区域，i为大于1的整数，对所述i个区域进行邻近效应校正计算，获取所述i个区域的第一剂量校正系数，所述第一剂量校正系数分别为、、、……、；kp1kp2kp3kpi对所述i个区域进行占空比计算，所述占空比为每个区域中待曝光图形面积与区域面积的比值，获取所述i个区域的第二剂量校正系数，所述第二剂量校正系数分别为、、、……、；ks1ks2ks3ksi确定所述i个区域的曝光剂量，曝光剂量分别为××、××、××、……、××；D0kp1ks1D0kp2ks2D0kp3ks3D0kpiksi采用多重曝光的方式对所述i个区域进行电子束曝光。 马 克 数 据 网