← 返回列表

多模式存储器驱动电路和多协议接口兼容型PHY芯片

申请号: CN202410015410.7
申请人: 上海奎芯集成电路设计有限公司
申请日期: 2024/1/4

摘要文本

本发明提供一种多模式存储器驱动电路和多协议接口兼容型PHY芯片,通过高速电平转换器阵列、高速多模式选择器、上拉驱动阵列和下拉驱动阵列组成多模式存储器驱动电路,利用高速电平转换器阵列输出处于第一电压域的第一输出信号和处于第二电压域的第二输出信号,利用高速多模式选择器基于模式控制信号输出相应的第一数据信号和第二数据信号,并基于第一数据信号和处于第一电压域的第一输出信号控制上拉驱动阵列,基于第二数据信号和处于第二电压域的第二输出信号控制下拉驱动阵列,得到驱动电路输出端所输出的驱动信号,可以同时兼容不同存储器接口协议,同时满足多种存储器接口协议对存储器驱动电路的要求,显著降低了SOC设计难度和成本。 来自马-克-数-据

专利详细信息

项目 内容
专利名称 多模式存储器驱动电路和多协议接口兼容型PHY芯片
专利类型 发明申请
申请号 CN202410015410.7
申请日 2024/1/4
公告号 CN117831590A
公开日 2024/4/5
IPC主分类号 G11C16/06
权利人 上海奎芯集成电路设计有限公司
发明人 郭嵩昊; 王晓阳; 张晓辉
地址 上海市闵行区昆阳路1508号第2幢1层106室

专利主权项内容

1.一种多模式存储器驱动电路,其特征在于,包括:高速电平转换器阵列、高速多模式选择器、上拉驱动阵列,以及下拉驱动阵列;其中,所述高速电平转换器阵列用于基于初始电压域的输入信号、第一保护电压和第二保护电压,输出处于第一电压域的第一输出信号和处于第二电压域的第二输出信号;所述第一电压域表示所述第一保护电压至预设电源电压的电压范围,所述第二电压域表示预设地电压至所述第二保护电压的电压范围;所述高速多模式选择器用于基于模式控制信号输出相应的第一数据信号和第二数据信号,将所述第一数据信号和所述处于第一电压域的第一输出信号传递至所述上拉驱动阵列,并将所述第二数据信号和所述处于第二电压域的第二输出信号传递至所述下拉驱动阵列,所述预设电源电压、所述预设地电压和所述模式控制信号是基于当前接口协议确定的;所述上拉驱动阵列和所述下拉驱动阵列的输出端相连,用于输出驱动信号。