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一种提升金刚石拼接处质量的方法
摘要文本
本发明公开了一种提升金刚石拼接处质量的方法，用于解决拼接处质量不均匀、位错密度大、结合强度差的问题，属于CVD金刚石生长领域。本发明对金刚石拼接处进行激光切割，使得拼接处形成V型槽，同时引入含氧气体，对拼接处的V槽进行优先生长修复，修复完成后进行衬底的全面生长，提高了拼接处质量，获得高质量大面积单晶金刚石。
申请人信息
- 申请人:上海征世科技股份有限公司
- 申请人地址:201799 上海市青浦区华浦路500号2幢西侧
- 发明人: 上海征世科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种提升金刚石拼接处质量的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410086276.X |
| 申请日 | 2024/1/22 |
| 公告号 | CN117779205A |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | C30B33/06 |
| 权利人 | 上海征世科技股份有限公司 |
| 发明人 | 梁凯; 满卫东 |
| 地址 | 上海市青浦区华浦路500号2幢西侧 |
专利主权项内容
1.一种提升金刚石拼接处质量的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、选取高质量金刚石籽晶作为衬底层(1)，通过微波等离子体化学气相沉积法在衬底金刚石上沉积生长外延层(2)；S2、通过激光切割将金刚石外延层(2)与衬底层(1)分离，对外延层(2)与衬底层(1)进行预处理，使得处理后的外延层(2’)与衬底层(1’)厚度一致；S3、将金刚石的外延层(2’)与衬底层(1’)按照生长纹路方向一致的进行排列，对金刚石衬底层(1’)与外延层(2’)的拼接处进行激光切割，切割的角度为30°-60°的斜面，使得金刚石衬底层(1’)与外延层(2’)的拼接处形成V型槽(3)，从而形成V型拼接的金刚石衬底(4)；S4、对V型拼接的金刚石衬底(4)进行等离子刻蚀，将处理好的衬底(4’)引入微波等离子体生长系统，同时通入含氧气体，优先生长V型槽，待V型槽填满后停止提供含氧气体。。来自：