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高温工作单光子探测器、单光子焦平面探测器及制备方法

申请号: CN202410138568.3
申请人: 云南大学
申请日期: 2024/2/1

摘要文本

本发明提供一种高温工作单光子探测器、单光子焦平面探测器及制备方法,是能够探测单个光子的光电传感器,包括:衬底;外延层结构,包括依次叠设于衬底上的吸收层、递变层、场控制层和倍增层;递变层用于消除吸收层与场控制层之间的能带陡变;倍增层中部为凹形结构,凹形结构的中心倍增区厚度小于非中心倍增区厚度,形成中心位置电场大于边缘位置电场的阶梯形电场且中心电场到边缘电场连续;通过调节场控制层的面电荷密度和倍增区的厚度降低吸收层和倍增区的电场、场致辅助隧穿和带间隧穿的电流。该探测器实现了高温工作和高计数率下的高效探测,体积小,成本低;高温使倍增区里被俘获的陷阱载流子快速脱陷,死时间短,后脉冲小。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 高温工作单光子探测器、单光子焦平面探测器及制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410138568.3
申请日 2024/2/1
公告号 CN117690986A
公开日 2024/3/12
IPC主分类号 H01L31/0352
权利人 云南大学
发明人 史衍丽
地址 云南省昆明市翠湖北路2号

专利主权项内容

1.一种高温工作单光子探测器,其特征在于,包括:衬底;外延层结构,包括依次叠设于所述衬底上的吸收层、递变层、场控制层和倍增层;所述递变层用于消除所述吸收层与所述场控制层之间的能带陡变;所述倍增层的中部为凹形结构,所述凹形结构的中心倍增区厚度小于非中心倍增区厚度,以形成中心位置电场大于边缘位置电场的阶梯形电场且所述中心位置电场到所述边缘位置电场连续;所述场控制层和所述倍增区被配置为通过调节所述场控制层的面电荷密度和所述倍增区的厚度来降低所述吸收层的电场、倍增区的电场,以及场致辅助隧穿电流和带间隧穿电流。