一种在硅基底上制备栅线的方法

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本发明涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种在硅基底上制备栅线的方法，包括步骤：确定区域、表面处理、光刻和显影、金属沉积、去除光刻胶等步骤。其中，在确定区域步骤中，确定核心区域和非核心区域；在表面处理步骤中，处理硅基底的表面，使得核心区域的润湿性低、非核心区域的润湿性高。在甩胶时，核心区域的胶厚，非核心区域的胶薄。光刻等一些列操作后，在核心区域形成高分辨率的栅线，在非核心区域形成较低分辨率的栅线，满足了实际需求，但是减少了光刻胶的用量，节约了成本，在太阳电池技术领域具有良好的应用前景。