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高温自淬灭单光子探测器及制备方法
摘要文本
本发明提供一种高温自淬灭单光子探测器及制备方法，高温自淬灭单光子探测器是一种能够探测单个光子的光电传感器。高温自淬灭单光子探测器包括：外延层结构，包括依次叠设于衬底上的吸收层、递变层、场控制层和倍增层；淬灭电阻，包括片上集成薄膜电阻，集成在外延层结构表面，用于对雪崩电流进行淬灭，片上集成薄膜电阻材料由绝缘层材料和金属材料共溅射实现；其中，片上集成薄膜电阻被配置为通过调整绝缘介质材料与金属材料的之间的厚度比例来调整薄膜电阻的电阻率。高温自淬灭单光子探测器实现了高温工作的自淬灭，体积小、成本低，后脉冲小、计数率高；并且容易实现不同阻值的阻抗，自淬灭自恢复效果好。。马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:云南大学
- 申请人地址:650504 云南省昆明市呈贡区大学城东外环南路
- 发明人: 云南大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 高温自淬灭单光子探测器及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410138565.X |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117673187A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L31/107 |
| 权利人 | 云南大学 |
| 发明人 | 史衍丽 |
| 地址 | 云南省昆明市翠湖北路2号 |
专利主权项内容
1.一种高温自淬灭单光子探测器，其特征在于，包括：衬底；外延层结构，包括依次叠设于所述衬底上的吸收层、递变层、场控制层和倍增层；淬灭电阻，集成在所述外延层结构表面，用于对雪崩电流进行淬灭，其中，所述淬灭电阻采用片上集成薄膜电阻，所述片上集成薄膜电阻的材料由绝缘介质材料和金属材料共溅射实现；其中，所述薄膜电阻被配置为通过调整所述绝缘介质材料与所述金属材料的之间的厚度比例来调整所述薄膜电阻的电阻率。