促进无子刺梨快速生根的组培方法
摘要文本
本申请公开了一种促进无子刺梨快速生根的组培方法，包括以下步骤：1)将当年生的幼嫩茎段经过清洗、消毒、漂洗后，切成带1～2个叶腋的茎段，以叶腋朝上斜插于腋芽诱导培养基上进行诱导培养得到腋芽；2)待诱导出的腋芽长成3cm以上的组培苗后，将其切成带1～3个叶腋的茎段，然后叶腋朝上斜插于腋芽增殖培养基中进行增殖培养30～35d，得到组培苗；3)将所得无子刺梨组培苗转移至生根培养基中，进行生根培养15d。该方法有利于诱导、增殖和生长无子刺梨无菌苗完成快速生根，该方法的外植体诱导率达97％以上，芽苗健壮，生长快，芽苗生根率达95％，10～15天即可完成生根且所得根系健壮。 关注公众号马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:云南农业大学
- 申请人地址:650000 云南省昆明市盘龙区金黑公路95号
- 发明人: 云南农业大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 促进无子刺梨快速生根的组培方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410083927.X |
| 申请日 | 2024/1/19 |
| 公告号 | CN117730779A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | A01H4/00 |
| 权利人 | 云南农业大学 |
| 发明人 | 李永和; 罗旭璐 |
| 地址 | 云南省昆明市盘龙区黑龙谭云南农业大学 |
专利主权项内容
1.一种促进无子刺梨快速生根的组培方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将当年生的幼嫩茎段经过清洗、消毒、漂洗后，切成带1～3个叶腋的茎段，以叶腋朝上斜插于腋芽诱导培养基上进行诱导培养得到腋芽；腋芽诱导培养基包括：MS+6-BA 0.1～2.0mg/L+NAA0.1～0.5mg/L；培养条件：温度为26～30℃，光照强度2000～2500lx，光照周期比为光照时间：无光照时间为12～14h : 12～10h，诱导培养25～30d；2)待诱导出的腋芽长成3cm以上的组培苗后，将其切成带1～3个叶腋的茎段，然后叶腋朝上斜插于腋芽增殖培养基中进行增殖培养30～35d，得到无子刺梨组培苗；所用腋芽增殖培养基包括：MS+6-BA 0.1～2.0mg/L+NAA 0.01～0.2mg/L；增殖培养条件为：温度为26～30℃，光照强度2000～2500lx，光照周期比为光照时间：无光照时间为12～14h : 12～10h；3)将所得无子刺梨组培苗转移至生根培养基中，进行诱导生根培养10～15d，得到无子刺梨生根苗；生根培养基包括：MS+无子刺梨总糖提取物0.1～1.0mg/L；生根培养条件为：温度26～30℃下，光照强度1500～1800lx，光照周期比为光照时间：无光照时间为10～12h : 14～12h。