畴外延生长γ-CuI薄膜的方法及γ-CuI薄膜

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本发明公开了一种畴外延生长γ‑CuI薄膜的方法及γ‑CuI薄膜，方法包括根据畴外延理论中的旋转畴匹配模型，结合γ‑CuI晶向的旋转对称性，确定单晶衬底；利用物理气相传输法，以γ‑CuI粉末作蒸发材料，在单晶衬底上生长γ‑CuI薄膜。本发明可保证γ‑CuI薄膜在根据旋转畴匹配模型和γ‑CuI晶向旋转对称性确定的单晶衬底上连续生长，且可减少晶界和晶格缺陷对载流子的散射作用，提高载流子迁移率。由于旋转畴在厚度方向上为单晶，对于以旋转畴外延生长的γ‑CuI基p‑n结，其整流特性会得到显著改善。本发明所用物理气相传输法可在双温区管式炉中实现，设备价格低廉、操作简单，适合工业化生产。