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温控异常处理方法、半导体工艺设备及存储介质

申请号: CN202410160666.7
申请人: 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日期: 2024/2/4

摘要文本

本申请公开了一种温控异常处理方法、半导体工艺设备及存储介质,属于半导体技术领域。其中,该方法包括:获取半导体工艺设备的实时温控数据;对实时温控数据进行特征提取,得到实时特征数据;将实时特征数据输入至训练后的温度预测模型中,得到实时温度预测值;计算实时温度实际值和实时温度预测值的实时温度残差;根据实时温度残差对半导体工艺设备进行温控异常识别。本申请基于实时温控数据和训练后的温度预测模型即可自动得到作为基准值的实时温度预测值,无需对温控过程内部反应机理有深入认知,降低了对专业经验的依赖,另外,实时温度预测值是根据实时温控数据得到的,可以及时响应不同工艺结果对温控数据的变化,执行不同工艺时可以通用。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 温控异常处理方法、半导体工艺设备及存储介质
专利类型 发明申请
申请号 CN202410160666.7
申请日 2024/2/4
公告号 CN117711992A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 H01L21/67
权利人 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人 范秀哲; 纪安宽; 曹凯悦; 杨浩; 耿丹
地址 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

专利主权项内容

1.一种温控异常处理方法,其特征在于,包括:获取半导体工艺设备的实时温控数据;对所述实时温控数据进行特征提取,得到实时特征数据;将所述实时特征数据输入至训练后的温度预测模型中,得到所述温度预测模型输出的实时温度预测值;计算实时温度实际值和所述实时温度预测值的实时温度残差;根据所述实时温度残差对所述半导体工艺设备进行温控异常识别。