晶圆刻蚀或沉积及模型获取方法、半导体工艺设备

专利主权项内容

1.一种晶圆刻蚀或沉积方法，所述方法应用于具有晶圆承载装置的工艺腔室，所述晶圆承载装置的晶圆承载面具有多个主温度控制区和多个辅温度控制区，多个所述主温度控制区在所述晶圆承载面的径向方向上依次设置，位于径向方向外侧的所述主温度控制区环绕位于径向方向内侧的所述主温度控制区设置，多个所述辅温度控制区沿所述晶圆承载装置的角向设置，其特征在于，所述方法包括：获取待刻蚀或沉积晶圆在各个所述主温度控制区的基本温度下，沿径向方向的第一基本刻蚀或沉积速率分布数据以及温度敏感度值；其中，所述第一基本刻蚀或沉积速率分布数据包括多个与所述晶圆承载面上径向方向的位置相关联的刻蚀或沉积速率值，所述温度敏感度值用于表征刻蚀或沉积速率随温度的变化率；利用预设的第一刻蚀或沉积速率预测模型，根据第一目标刻蚀或沉积速率分布数据、所述第一基本刻蚀或沉积速率分布数据以及所述温度敏感度值，获取各个所述主温度控制区的目标温度控制值；其中，所述第一刻蚀或沉积速率预测模型与刻蚀或沉积工艺过程中产生的径向方向的刻蚀副产物或沉积物扩散相关联，所述第一刻蚀或沉积速率预测模型用于表征所述晶圆承载面上径向方向的各个位置的刻蚀或沉积速率与相关联位置的对应关系，所述第一目标刻蚀或沉积速率分布数据包括多个与所述晶圆承载面上径向方向的位置相关联的目标刻蚀或沉积速率值。