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用于晶圆的金属薄膜厚度测量方法、装置、抛光设备和介质

申请号: CN202410128800.5
申请人: 华海清科(北京)科技有限公司
申请日期: 2024/1/31

摘要文本

本申请实施例提供了一种用于晶圆的金属薄膜厚度测量方法、装置、抛光设备和介质,其中方法包括:根据电涡流传感器采集的测量信号,确定晶圆上金属薄膜的基准厚度,其中,测量信号用于指示金属薄膜上不同位置的测量厚度;根据基准厚度包括的调整参数,确定子调整参数,其中,调整参数包括基准厚度下金属薄膜的不同边缘形貌对应的子调整参数;基于子调整参数,对金属薄膜上位于待处理区域内的采样点的坐标值进行调整,并根据调整后坐标值对测量信号中该采样点对应的信号值进行处理,根据处理后的信号值确定晶圆的金属薄膜的厚度。本申请实施例的方法,可以减小对该采样点对应的信号值进行的处理的误差,提高测量晶圆上金属薄膜厚度的精度。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 用于晶圆的金属薄膜厚度测量方法、装置、抛光设备和介质
专利类型 发明申请
申请号 CN202410128800.5
申请日 2024/1/31
公告号 CN117681117A
公开日 2024/3/12
IPC主分类号 B24B49/10
权利人 华海清科(北京)科技有限公司
发明人 路新春; 吴英明; 田芳馨; 刘杰
地址 北京市大兴区经济技术开发区地盛北街1号院40号楼11层1107室

专利主权项内容

1.一种用于晶圆的金属薄膜厚度测量方法,其特征在于,包括:根据电涡流传感器采集的测量信号,确定晶圆上金属薄膜的基准厚度,其中,所述测量信号用于指示所述金属薄膜上不同位置的测量厚度;根据所述基准厚度,确定调整参数,其中,所述调整参数包括所述基准厚度下金属薄膜的不同边缘形貌对应的子调整参数;基于所述调整参数包括的所述子调整参数,对所述金属薄膜上位于待处理区域内的采样点的坐标值进行调整,并根据调整后坐标值对所述测量信号中该采样点对应的信号值进行处理,根据处理后的信号值确定晶圆的所述金属薄膜的厚度。。百度搜索马 克 数 据 网